AM7202A-50JC Advanced Micro Devices
FIFO, 1KX9, 50NS, ASYNCHRONOUS, Asynchronous FIFO 1K x Модель AM7202A 50JC имеет полное название - Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs – Arrays Mosfet Array 2 N-Channel (Dual). Это согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP. Семейство МОП-транзисторов с подобранной парой. Предназначенный для применения при низком напряжении и малом сигнале, ALD110800/ALD110900 имеет нулевое пороговое напряжение, которое снижает или устраняет изменение уровня входного и выходного напряжения.
Основные технические особенности
1) Упаковка / кейс - 8-DIP (0,300 ", 7,62 мм).
2) Тип полевого транзистора – N-канала (двойной).
3) Функция Fet – Стандарт.
4) Напряжение от стока к источнику (vdss) - 10,6 В.
5) Vgs (th) (max) @ Id - 10 мВ при 1 мкА.
6) Максимальная мощность - 500 МВт.
7) Тип монтажа - Сквозное отверстие.
8) Минимальная рабочая температура - 0 C.
9) Конфигурация – Двойной.
10) Полярность транзистора - N-канал.
11) Сопротивление стока-источника Rds (включено) - 500 Ohm (Typ) @ 4 V.
12) Коэффициент прямой транспроводимости Gfs (макс. / мин.) - 0,0014 С.
13) Напряжение пробоя стока-источника - 10,6 В.
14) Напряжение пробоя затвора-источника - 10,6 В.
15) Постоянный ток утечки - 12 мА.
16) Рассеиваемая мощность - 500 МВт.
17) Максимальная рабочая температура – составляет 70 C.
18) Способ монтажа - Сквозное отверстие.
19) Не содержит свинца - статус RoHS.9 Uni-Directional 15.3MHz 50ns 32-PLCC (13.97x11.43)
Модель AM7202A 50JC имеет полное название - Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs – Arrays Mosfet Array 2 N-Channel (Dual). Это согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP. Семейство МОП-транзисторов с подобранной парой. Предназначенный для применения при низком напряжении и малом сигнале, ALD110800/ALD110900 имеет нулевое пороговое напряжение, которое снижает или устраняет изменение уровня входного и выходного напряжения.
Основные технические особенности
1) Упаковка / кейс - 8-DIP (0,300 ", 7,62 мм).
2) Тип полевого транзистора – N-канала (двойной).
3) Функция Fet – Стандарт.
4) Напряжение от стока к источнику (vdss) - 10,6 В.
5) Vgs (th) (max) @ Id - 10 мВ при 1 мкА.
6) Максимальная мощность - 500 МВт.
7) Тип монтажа - Сквозное отверстие.
8) Минимальная рабочая температура - 0 C.
9) Конфигурация – Двойной.
10) Полярность транзистора - N-канал.
11) Сопротивление стока-источника Rds (включено) - 500 Ohm (Typ) @ 4 V.
12) Коэффициент прямой транспроводимости Gfs (макс. / мин.) - 0,0014 С.
13) Напряжение пробоя стока-источника - 10,6 В.
14) Напряжение пробоя затвора-источника - 10,6 В.
15) Постоянный ток утечки - 12 мА.
16) Рассеиваемая мощность - 500 МВт.
17) Максимальная рабочая температура – составляет 70 C.
18) Способ монтажа - Сквозное отверстие.
19) Не содержит свинца - статус RoHS.
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут