Документация на электронные компоненты FSPYE234D1 серии. Производитель: Intersil Corp..

FSPYE234D1Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSPYE234F3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSPYE234F4Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSPYE234R3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSPYE234R4Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
Кликните сюда для загрузки документации на FSPYE234D1
Кликните сюда для загрузки документации на FSPYE234D1
*)

*) Доступ к полнотекстовой технической документации в формате PDF осуществляется на платной основе посредством отправки SMS сообщений на специальный короткий номер. Стомость доступа составляет 1.30 у.е. в сутки или за 100 файлов документации. Кликните сюда для получения пароля к базе данных.