Документация на электронные компоненты FSYA254D1 серии. Производитель: Intersil Corp..
FSYA254D1 | Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор | Datasheet PDF*) |
FSYA254D3 | Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор | Datasheet PDF*) |
FSYA254R1 | Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор | Datasheet PDF*) |
FSYA254R3 | Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор | Datasheet PDF*) |
FSYA254R4 | Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор | Datasheet PDF*) |
|
 Кликните сюда для загрузки документации на FSYA254D1*) |
*) Доступ к полнотекстовой технической документации в формате PDF осуществляется на платной основе посредством отправки SMS сообщений на специальный короткий номер. Стомость доступа составляет 1.30 у.е. в сутки или за 100 файлов документации. Кликните сюда для получения пароля к базе данных.