Документация на электронные компоненты FSYA254D1 серии. Производитель: Intersil Corp..

FSYA254D1 Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор Datasheet PDF*) FSYA254D3 Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор Datasheet PDF*) FSYA254R1 Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор Datasheet PDF*) FSYA254R3 Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор Datasheet PDF*) FSYA254R4 Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзистор Datasheet PDF*)

Кликните сюда для загрузки документации на FSYA254D1*)

^*) Доступ к полнотекстовой технической документации в формате PDF осуществляется на платной основе посредством отправки SMS сообщений на специальный короткий номер. Стомость доступа составляет 1.30 у.е. в сутки или за 100 файлов документации. Кликните сюда для получения пароля к базе данных.