Документация на электронные компоненты FSYC163 серии. Производитель: Intersil Corp..

FSYC163DРадиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163RРадиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163D1Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163D3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163R1Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163R3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYC163R4Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
Кликните сюда для загрузки документации на FSYC163
Кликните сюда для загрузки документации на FSYC163
*)

*) Доступ к полнотекстовой технической документации в формате PDF осуществляется на платной основе посредством отправки SMS сообщений на специальный короткий номер. Стомость доступа составляет 1.30 у.е. в сутки или за 100 файлов документации. Кликните сюда для получения пароля к базе данных.