Документация на электронные компоненты FSYE13A0 серии. Производитель: Intersil Corp..

FSYE13A0DРадиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0RРадиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0D1Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0D3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0R1Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0R3Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
FSYE13A0R4Радиационностойкий, устойчивый к пробою подзатворного диэлектрика N-канальный мощный полевой МОП транзисторDatasheet PDF*)
Кликните сюда для загрузки документации на FSYE13A0
Кликните сюда для загрузки документации на FSYE13A0
*)

*) Доступ к полнотекстовой технической документации в формате PDF осуществляется на платной основе посредством отправки SMS сообщений на специальный короткий номер. Стомость доступа составляет 1.30 у.е. в сутки или за 100 файлов документации. Кликните сюда для получения пароля к базе данных.