2NW SMD транзистор

Транзистор — это электронный радиоэлемент, обладающий способностью изменять проводимость под воздействием внешних факторов. Среди многочисленных преимуществ дискретных полупроводников выделяют большую механическую прочность, широкий диапазон рабочих температур, миниатюрные размеры и продолжительный срок службы. Данные достоинства произвели техническую революцию в области электроники. В настоящее время практически все электронные устройства: аудио и видео приборы, ЭВМ, ПК, промышленное и сетевое оборудование, а также бытовая техника, содержат в схемах полупроводниковые элементы — транзисторы.

Маркировка и характеристики полевых транзисторов

Развитие технологии поверхностного монтажа позволило не только создавать аппаратуру миниатюрных размеров, но и автоматизировать процесс изготовления печатных плат. Объем производства полупроводниковых компонентов по итогам 2022 года достиг отметки в 575 млрд. американских долларов. Ассортимент транзисторов невероятно велик. Он насчитывает более 10 000 видов устройств различного типа. Правила маркировки компонентов разрабатываются непосредственно многочисленными производителями, поэтому порой одинаковые элементы по наименованию, могут различаться по параметрам. Чтобы подобрать необходимый транзистор, нужно обращать внимание на его корпус.

Полупроводниковые приборы различной маркировки:

1. 2NW SMD транзистор представляет собой полевой N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и используется в синхронных преобразователях текущего режима. Абсолютные максимальные номинальные значения выражаются в напряжениях: коллектор-база VCBO -60 В, коллектор-эмиттер VCEO -60 В и эмиттер-база VEBO -5 В. При этом постоянный ток коллектора составляет IC -200 мА, а рассеиваемая мощность при температуре +25° С равняется Ptot 330 мВт. Примером применения является импульсное регулирование напряжение в источниках питания. 
2. 1F9K SMD транзистор относится к полевым Р-канальным MOSFET. Компонент помещен в корпус SOT-23-3 и предназначен для монтажа на поверхность печатных плат. Транзистор IRLML6401 обладает напряжение пробоя в цепи сток-исток 12 В, при постоянном токе коллектора в 4,3 А и сопротивлении 50 мОм. Напряжение затвор-исток составляет 8 В, рассеиваемая мощность равняется 1,3 Вт. 
3. X0HV SMD транзистор — это сочетание прогрессивной технологии траншейных МОП-транзисторов и низкоомного корпуса ТО-220. Компонент выполнен в виде полевого N-канального MOSFETа. Устройство широко используется как переключатель нагрузки или в ШИМ-приложениях. Технический потенциал оптимизирован для систем с батарейным питанием.
4. 301 SMD транзистор представлен сдвоенными N-канальными полевыми транзисторами с режимом усиления логического уровня – FDC6301N. Полупроводниковый элемент — продукт компанией Fairchild, выполнен с использованием собственной запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Разработка позволяет минимизировать сопротивление включения, что дает возможность заменять цифровые транзисторы с различными резисторами смещения.
5. FS3306 транзистор SMD или IRFB3306GPBF — одиночный цифровой N-канальный мощный MOSFET на базе кремниевого кристалла. Компонент помещен в корпус ТО-220 с тремя выводами. Транзистор относится к силовым компонентам, используемым для высокоэффективного синхронного выпрямления в импульсных источниках питания, цепях с жестким переключением и высокочастотных цепях.
6. A6C SMD транзистор для поверхностного монтажа относится к новому прогрессивному семейству смещающих резисторных цифровых радиоэлементов с P-N-P переходом. Полупроводниковый прибор MMUN2113LT1 используется для замены одного устройства и его внешней цепи смещения резисторов.

Особенности технологии SMТ/SMD

Технология поверхностного монтажа появилась в далеких 60-х годах прошлого века. Первоначально она не получала должного развития и только к началу 90-х, после изобретения специальных плоских SMD-компонентов, приобрела популярность. Пионером внедрения данной технологии стала американская компьютерная компания IBM. Метод установки радиоэлементов непосредственно на печатную плату позволил не только уменьшить размеры устройства, но и автоматизировать процесс производства. Эти весомые достоинства привели к технической революции в электронном мире, и к 2000-ым технология поверхностного монтажа заняла доминирующие позиции. 

По сравнению с установкой радиокомпонентов в сквозные отверстия, SMT имеет целый ряд преимуществ:

• простота технологии, дающая возможность полной автоматизации процесса;
• отсутствие необходимости сверления большого количества отверстий в пластине;
• короткие выводы элемента или их полное отсутствие исключает нужду в их обрезке;
• миниатюрные габариты SMD-компонентов позволяют значительно уменьшить как размеры печатной платы, так и устройства в целом;
• небольшой вес пластины упрощает транспортировку;
• исключается необходимость прогрева припоя внутри отверстия;
• возможность двухстороннего монтажа платы;
• использование ПП для рассеивания тепла и электромагнитной экранизации.

Первый электронный SMD компонент был помещен в пластиковый корпус SOT23 в 1969 году. В настоящее время объемы продаж данных изделий исчисляется десятками миллиардов устройств. Корпус полностью удовлетворяет требованиям производителей полупроводниковых компонентов и пассивных элементов. SOT23 сочетает в себе миниатюрные размеры, высокие скорости, повышенную прочность и возможность расширения функционала. 

Но главное преимущество инновационной оболочки в безупречном качестве на фоне минимальных затрат. Стоит отметить, что стандартный корпус SOT23 не потерял своей актуальности и до настоящего времени, при этом разработаны версии следующих поколений.