74 SMD транзистор

Полупроводники лежат в основе большинства устройств, таких как электронные игры, считыватели штрих-кодов, компьютеры и микропроцессоры. В качестве неотъемлемых компонентов компьютеризированных устройств полупроводники обычно используются в производстве диодов, транзисторов и интегральных схем. Их использование значительно возросло в последние годы в результате уменьшения размеров, достижений в области полупроводникового оборудования и материалов, а также возможности массового производства интегральных схем на основе одного кристалла.

Какие материалы используются для транзисторов?

Материалом, наиболее часто используемым в производстве полупроводниковых микросхем и транзисторов, является кремний. Его использование настолько значимо, что породило термин «Кремниевая долина», который является синонимом штаб-квартир многих самых инновационных корпораций мира и местом, где создаются современные технологические продукты. Хотя кремний сам по себе не является проводником, его можно легировать, чтобы он вел себя соответствующим образом.

Легирование — это процесс, при котором кремний становится нечистым для создания легированного полупроводника. Эффект достигается благодаря двум типам примесей:

1. Легирование N-типа. К кремнию для транзисторов 43t smd добавляют небольшое количество фосфора или мышьяка. Фосфор и мышьяк имеют по пять электронов на внешней электронной оболочке. После соединения с кремнием пятому электрону не с чем связываться, поэтому он начинает свободно циркулировать. Кремний N-типа является эффективным проводником и обязан своим названием отрицательному заряду электронов.
2. Легирование P-типа. К кремнию добавляют небольшое количество бора или галлия. Эти элементы имеют только три электрона на внешней электронной оболочке, что создает «дыры» в структуре кремния, где его электронам не с чем связываться. Результатом отсутствия электронов является положительный заряд. Таким образом, через эти отверстия в  транзисторах sch smd проводится ток, так как отверстие захватывает электрон соседнего атома, создавая таким образом хороший проводник.

Транзистор — слойный электротехнический компонент

Отдельные слои транзистора и подключенные к ним электроды названы в соответствии с их назначением:

• Эмиттер (для его условного обозначения выбрана буква Е) — сильнолегированный слой, являющийся источником электронов;
• Базовый (обозначается буквой Б) — тонкий слой, задача которого — контролировать ток, протекает через транзистор;
• Коллектор (обозначен буквой С) — необходим для сбора протекающих зарядов.

Наружные слои имеют относительно большую толщину. Средний слой — довольно тонкий, чтобы позволить электронам диффундировать через него, перемещаясь между слоями. Толщина этого участка составляет 0,01-0,03 мм. Область эмиттера должна содержать гораздо больше основных носителей, чем область базы. Благодаря этому ток, протекающий от эмиттера больше тока, протекающего со стороны базы. К каждому из этих полупроводников подключен электрод, который выведен за пределы корпуса транзистора.

В месте соединения полупроводниковых слоев располагаются два p-n перехода, через которые и перемещаются носители. Это приводит к созданию зарядового барьера и возникновению напряжения между соседними участками транзисторы smd x01v. За счет образования зарядового барьера p-n- переход имеет свойство хорошей проводимости тока исключительно из р- в n- области.

Такое распределение зарядов позволяет управлять относительно большим током при значительно меньшем токе. Эта возможность обусловлена тем, что ток, протекающий в системе коллектор-база, влияет на концентрацию заряженных частиц в области базы, что влияет на возможность перемещения заряженных частиц.

Различные типы транзисторов

Биполярные транзисторы имеют носители, которые используют как положительные, так и отрицательные заряды. Они в основном используются в качестве переключателей и усилителей. Хотя они обычно являются неотъемлемой частью аналоговой схемы, их также можно приобрести в виде отдельных блоков.

Схема Дарлингтона представляет собой два транзистора в одном, где первый усиливает ток до определенного уровня, а второй дополнительно усиливает его на другую величину. Такой подход часто используется для уменьшения места на плате, реализуя его, целесообразно купить транзистор smd 2sd1664.

Полевой транзистор с переходным затвором (JFET)

Полевые модели с переходом широко используются в качестве переключателей, но также способны обеспечивать сопротивление, зависящее от напряжения. У них есть затворы и каналы, через которые можно увеличивать или уменьшать электрическое сопротивление.Металл-оксид-полупроводник MOSFET (полевой компонент металл-оксид-полупроводник)

МОП-транзисторы являются наиболее часто используемым типом полупрводников из-за их использования как в аналоговых, так и в цифровых схемах. По сути, это транзисторы JFET, состоящие из четырех выводов: подложка, сток, затвор и исток, хотя на практике при использовании стандартно подключаются три из них. МОП-транзистор действует как переключатель, контролирующий напряжение и ток между подшипником и стоком. Биполярный транзистор с изолированным затвором. IGBT-транзисторы представляют собой комбинацию биполярных и полевых МОП-транзисторов. Они выигрывают от сочетания огромной скорости переключения, характерной для МОП-транзисторов, с низким напряжением насыщения биполярных транзисторов.