a9 транзистор smd

Из-за небольшого размера большинства транзисторов SMD, производители не имеют возможности наносить на их корпус полное наименование, дающее представление о производителе и конфигурации детали. Вместо этого используется специальный код маркировки, обычно состоящий из комбинации 2 или 3 букв или цифр (например, A9), а также соответствующий справочный каталог, по которому можно идентифицировать все варианты устройств с таким кодом и их характеристики.

Транзисторы C3

Найдя в справочнике маркировок полупроводниковых компонентов SMD транзистор C3, можно обнаружить, что под таким кратким кодом может быть зашифровано несколько разных интегральных компонентных устройств. 

Один из них — кремниевый эпитаксиальный планарный диод Toshiba 1СС302 в малом корпусе SC-70 для сверхскоростных коммутационных приложений переключения с низким номиналом напряжения 0,9 В, временем быстрого обратного восстановления 1,6 нс и общей емкостью 0,9 пФ. 

Его абсолютные максимальные значения при 25°С:

1. Максимальное (пиковое) обратное напряжение: 85 В. 
2. Обратное напряжение: 80 В. 
3. Максимальный (пиковый) прямой ток: 300 мА. 
4. Средний прямой ток: 100 мА. 
5. Импульсный ток (10 мс): 2 А. 
6. Рассеяние мощности: 100 мВт.
7. Температура перехода: 125°С. 
8. Температура хранения и эксплуатации от −55 до 125 °С.

Стоит учесть, что постоянное использование под большими нагрузками (например, применение высокой температуры/тока/напряжения и значительное изменение температуры и т. д.) может вызвать значительное снижение надежности устройства даже если условия эксплуатации находятся в пределах рейтингов абсолютного максимума.

Другой компонент, маркирующийся кодом С3 – это эпитаксиальный кремниевый PNP-канальный транзистор общего назначения КСТ4126 от торговой марки Fairchild Semiconductor с предельным напряжением коллектор-база 25 В, коллектор-эмиттер 25 В и эмиттер-база 4 В. Его коллекторный ток — 200 мА, а рассеиваемая мощность коллектора — 350мВт.

Транзисторы W21

Одной из конфигураций SMD транзистора W21 являются устройства серии PDTA123 от ТМ Philips. Это PNP-канальные транзисторы со встроенными резисторами смещения R1 и R2 по 2,2 кОм каждый. Они представлены в разных типах корпусов, например, модификация PDTA123ET выполнена в упаковке SOT23, а версия PDTA123EU – в SOT323. N-канальные аналоги данных устройств имеют маркировку PDTC123.

Данные электронные компоненты разработаны для упрощения схемотехники, уменьшения количества элементов и экономии пространства в топологии плат. Они также позволяют снизить затраты на подбор и размещение.

Транзисторы PDTA123 применяются в схемах для переключения и усиления общего назначения, конфигурациях схем инвертора без использования внешних резисторов, а также в схемах драйверов.

Транзисторы Y6W

Под определением «SMD транзистор Y6W» скрываются 250 мВт зенеровские регуляторы напряжения серии BZX84C производства NXP или Philips в корпусе SOT-23 из литого термореактивного пластика без пустот для поверхностного монтажа. 

Эта линейка миниатюрных стабилитронов разработана для обеспечения регулировки напряжения с экономией пространства на плате. Они оптимальны для использования в мобильных телефонах, портативных устройствах и микросхемах высокой плотности.

Особенности спецификации:

• Номинальная мощность 250 мВт на плате FR-4 или FR-5;
• Диапазон напряжения пробоя стабилитрона – от 2,4 до 75 В;
• Пакет разработан для оптимальной автоматизированной сборки платы;
• Малый размер корпуса для приложений с высокой плотностью размещения;
• Класс защиты от электростатического разряда 3 (> 16 кВ) в соответствии с моделью человеческого тела;
• Пиковая мощность — 225 Вт (8 х 20 с);
• Префикс SZ для автомобильных и других приложений с уникальными требованиями к местам и элементам управления; 
• AEC-Q101 квалификация и поддержка PPAP;
• Устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS;
• Коррозионностойкое покрытие, легко поддающееся пайке при 260°C в течение 10 секунд;
• Катод обозначен полосой полярности;
• Устойчивость к воспламеняемости UL 94 V-0.

Транзисторы K1N

Когда упоминается SMD транзистор K1N, подразумевается малый биполярный сигнальный транзистор MMBT3904 или одна из его модификаций (MMBT3904-7-F, MMBT3904-13-F). 

Это устройства типа NPN для поверхностного монтажа c клеммами под пайку и эпитаксиальной планарной конструкцией кристалла, которые идеально подходят для усиления и коммутации средней мощности и применяются преимущественно в автомобильных приложениях.

Данные электронные компоненты в литом пластиковом корпусе SOT-23 с рейтингами воспламеняемости UL 94V-0 и чувствительностью к влаге 1 уровня по J-STD-020C не содержат свинца и соответствуют RoHS. Они также соответствуют спецификациям отраслевого стандарта высокой надежности AEC-Q101, в которых излагаются рекомендуемые квалификационные требования к полупроводниковым продуктам для автомобильной техники.

Транзисторы A6A

Кодировка A6A, нанесенная на корпус устройства, может обозначать, что перед нами один из нескольких вариантов электронных компонентов. SMD транзистор A6A чаще всего поставляется как 20-вольтный N-канальный MOSFET на 5,8 А с усовершенствованной технологией траншейного процесса, специально разработанный для коммутационной нагрузки, ШИМ и т.д.

Также с каталожным кодом A6A выпускаются транзисторы серии MMUN2111LT1. Это кремниевые цифровые транзисторы PNP типа для поверхностного монтажа с монолитной сетью из двух резисторов смещения BRT: последовательный базовый резистор и база-эмиттер резистор. 

Данная конструкция позволяет избежать применения отдельных компонентов путем объединения их в одном устройстве. Использование BRT может уменьшить как стоимость системы, так и место на плате. Устройство размещено в корпусе СОТ-23 с низким энергопотреблением.