Биполярные транзисторы КТ

Транзистор представляет собой радиоэлектронный триод из полупроводникового материала, чаще представлен с тремя выводами. Входит в состав большинства современных интегральных схем, в структуре которых выполняет задачи усиливающего, преобразовывающего, генерирующего и коммутирующего компонента. Его назначение в схемотехнике состоит в управление большими тока при помощи небольшого управляющего сигнала.

Биполярный транзистор и особенности его маркировки

В зависимости от структуры, технических характеристик и принципа действия, транзисторы делятся на полярные и биполярные. Первые были изобретены в 1928 году. Биполярные созданы гораздо позже, в 1947 году при участии специалистов американской лаборатории Bell Labs. По значимости их появление было равноценно революции в электронной промышленности. Компоненты смогли заменить вакуумные лампы, уменьшив при этом размеры и вес оборудования, и повысив его надежность. 

Примеры транзисторов, получивших широкое применение при создании радиоустойчив и интегральных схем:

• кремниевый биполярный низкочастотный транзистор КТ 502, относится к приборам средней мощности, нашел применение в преобразователях, операционных и дифференциальных усилителях, низкочастотных слаботочных цепях различных электронных устройств;
• кремниевый биполярный низкочастотный мощный транзистор КТ 816 большой мощности устанавливается в схемы преобразователей, узлы радиоэлектронной аппаратуры, операционные и дифференциальные усилителей, ключевые и линейные схемы;
• кремниевый биполярный транзистор КТ 315 может быть применен в схемах высокой, низкой и промежуточных частот;
• германиевый биполярный транзистор ГТ702 задействован при создании импульсных, ключевых схем, преобразователей напряжения, управляемых регуляторов, усилителей мощности низкой частоты.

Биполярный транзистор – это кристалл из полупроводникового материала, состоящих их трех чередующихся областей с электронной и дырочной проводимостью, получивших название: коллектор, база и эмиттер и двух p-n переходов между ними. Его особенность в задействовании двух вариантов носителей: дырок и электронов, что и было отражено в названии. Работа полупроводника выполняется посредством взаимодействия двух рядом размещенных в кристалле p-n переходов, а управление за счет изменения тока через переход между базой и эмиттером. В зависимости от чередования p-n переходов, транзисторы делятся на n-p-n и p-n-p типы или обратной и прямой полярностью, соответственно. 

Транзисторы могут быть упакованы в герметичные корпуса или без них. Корпуса определяют габариты прибора, защищают устройство от окружающей среды. Внешние выводы используются для присоединения к микросхеме. Версии корпусов стандартизованы и пронумерованы, количество вариантов превысило сотню. Для защиты бескорпусных полупроводников применяется слой лака, легкоплавкого стекла, смолы, а герметизация выполняется совместно с устройством, в которое они предварительно устанавливаются. Корпуса могут быть металлостеклянные, пластмассовые или металлокерамические. Для того чтобы любой полупроводниковый прибор выделить из массы радиодеталей, ему присваивают уникальный шифр. Единого стандарта в мире не существует, каждый производитель может предложить свой вариант. Единая маркировка была применена в СССР. Начиная с 1964 года, она включает комбинацию из пяти букв и цифр, информирующих пользователя о типе транзистора, конструкционном материале, использованном при его создании, а также для каких каскадов радиоэлектронных схем от создан. 

Расшифровка маркировки транзисторов:

1. Первая буква указывает на материал, из которого был изготовлен транзистор. К – кремний и его сплавы, Г — германий, И – индий и буква А соответствует арсенид галлия.
2. Следующая буква указывает на тип транзистора, П соответствует полевому, а К биполярному транзистору. На примере транзистора КТ 602 маркировка указывает, что он изготовлен из кремния и относится к биполярному типу.
3. Третья цифра от 1 до 9 указывает н потенциал прибора по частотным характеристикам и мощности. Для транзистора КТ 812 – это цифра 8, так отмечаются среднечастотные полупроводники большой мощности, свыше 1,5Вт.
4. Последующая комбинация цифр от 01 до 99 присваивается в соответствии с номером разработки.
5. Завершающая буква соответствует номеру разработки. Например, транзистор КТ 816А с максимальным напряжением коллектор–эмиттер 40В, а КТ816Г на 100В.

Транзисторы КТ315 и КТ361

Транзистор КТ315 малой мощности огромную популярность получил еще во времена СССР. Компонент входил практически во все электронные схемы, в простонародье получил название по номеру: Пятнадцатый. Выпускался в трех типах корпусов. Разработкой транзистора занимались, начиная с 1966 года сотрудники НИИ Пульсар. За год была выполнена подготовка к началу массового производства, в 1968 году были выпущены первые полупроводники. 

Это был первый советский транзистор массового производства. Устройство поставлялось в миниатюрном корпусе типа КТ-13 из пластмассы. КТ315 относился к полупроводникам с n-p-n-проводимости. К начал 90-х годов прошлого века количество выпущенных экземпляров достигло отметки в 7 млрд. шт. Работа по разработке транзистора КТ315 в 1973 году была отмечена Государственной премией СССР. В 70-х годах в том же корпусе КТ-13 был изготовлен транзистор КТ361 с p-n-p проводимостью. Устройства нашли широкое применение в радиотехнике, электронных схемах оборудования бытового и промышленного назначения. Компоненты не были задействованы при создании военной продукции. Для особо точных и надежных устройств, таких как станки ЧПУ, компьютеры, телевизоры, радиоаппаратура, использовались полупроводниковые приборы повышенной надежности. Для них применялась специальная маркировка, включающая точку после буквы.