bsp75n

Транзистор BSP75N является мощным полевым эффектным транзистором (MOSFET), применяемый в различных электронных схемах для коммутации и управления мощными нагрузками. 

Представляет собой N-канальный MOSFET транзистор в TO-92 корпусе. Состоит из канала, расположенного между истоком, стоком, и управляющего затвора, контролирующий ток в канале. Обладает низким сопротивлением канала и способен работать с высокими токами и напряжениями.

Характеристики:

— Максимальное напряжение стока-исток (Vds): 60 В

— Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В

— Максимальный непрерывный дренажный ток (Id): 2 А

— Сопротивление открытого канала (Rds (on)): 0.36 Ом (при Vgs = 10 В)

— Мощность потерь (Pd): 1.5 Вт

Способы подключения:

Транзистор BSP75N может быть подключен в различных схемах в зависимости от требуемой функциональности. Одним из распространенных способов подключения является следующая схема:

1. Исток транзистора (S) подключается к общему (GND) или к нагрузке.
2. Сток транзистора (D) подключается к положительному источнику питания (+Vcc).
3. Затвор транзистора (G) подключается к управляющему сигналу или к источнику сигнала.

Выполняет функцию коммутационного устройства, регулируя ток, проходящий через нагрузку. Для управления открытием и закрытием используется управляющий сигнал, подающий на его затвор.

Широко используется в различных схемах управления мощными нагрузками: моторы, лампы и другие устройства, где необходимо надежное и эффективное коммутирование тока. Благодаря своим высоким характеристикам и надежности, является популярным выбором для множества промышленных и электронных приложений.