BTB16800BW

Симистор BTB16-800BW используется как симистор для средних по значениям, токов. Симистор обладает низким тепловым сопротивлением. В этой разновидности полупроводникового специализированного устройства используется особая технология керамической изоляции для улучшения электрических свойств. Устройство обладает, высокими коммутационными возможностями по стандартам 4Q/3Q, что позволяет использовать его для схем с повышенным быстродействием и высоким требованиям прочности и надежности использования.

Основное назначение использования

Симистор имеет широкое применение и возможность использовать для большинства устройств, где используются симисторные решения в силовых микросхемах и схемах управления.

Производители рекомендуют применять симистор прежде всего для формирования сетей и схем с индуктивными нагрузками, где требуется высокая коммутационная защищенность и постоянная переключающая активность.

Основные электрические характеристики

RMS-ток для этого симистора определяется путем практических исследований не более 16 Ампер. Предельное импульсное ритмичное напряжение Vrrm – не более 800 В. Ток на затворе для отпирания схемы минимально должен составлять 50мА, при этом напряжение на сегменте должно составлять не более 1,55 В. Ток в открытом состоянии с предельными показателями – не более 160 А.

Токовые характеристики dv/dt, IH, IL

Укажем и еще два показателя, которые важны для понимания уровня срабатывания симистора на внешние токи и характеризующие ритмичность его работы:

• ток IH на удержание состояния симистора – 50 мА;
• предельный ток на запирание симисторной схемы IL – 80 мА.

Если говорить о важных электрических показателях эффективности, следует указать на параметр скорости увеличения напряжения за временной промежуток в соотношении В/uS или dv/dt. В этом симисторе он составляет высокое и характерное для качественных полупроводниковых устройств значение – 1000.