dk smd транзистор

SMD транзисторы представляют собой полупроводниковые компоненты, предназначенные для управления существенными значениями токов за счет незначительного входного сигнала и имеющие (в большинстве случаев) три вывода под пайку для поверхностного монтажа на плате микросхемы. Они наиболее часто применяются как усилители, переключатели или преобразователи электрических импульсов.

Основные типы SMD транзисторов

Один из самых распространенных типов СМД транзисторов, все более набирающих популярность в современных условиях миниатюризации – так называемые MOSFET или МОП-транзисторы. Это полевые транзисторы на основе оксида металла и полупроводника, которые могут быть как отрицательными, так и положительными. 

Они состоят из входа/выхода одного и того же заряда, которые соединяются с центральной областью того же заряда, когда электричество подается через центральный зонд. Остальная часть корпуса транзистора имеет противоположный заряд.

Любой тип транзистора может быть установлен как SMD-транзистор, но наиболее распространенный тип SMD-транзистора называется транзистором с биполярным переходом. В этом устройстве электрический сигнал проходит через два положительно-отрицательных затвора. Устройства могут быть спроектированы в двух вариантах: положительно-отрицательно-положительные (PNP) или отрицательно-положительно-отрицательные (NPN). 

Ток добавляется в систему в средней секции, чтобы усилить входной сигнал, когда он проходит мимо второго положительно-отрицательного вентиля.

Особенности маркировки

Есть несколько типов корпусов, отличающихся габаритными размерами, в которые «упаковываются» трехконтактные SMD транзисторы: SOT223, SOT23, SOT143, SOT323, SOD323, SOD123 и другие. Поскольку большинство из них являются чрезвычайно миниатюрными радиоэлектронными компонентами и продолжают уменьшаться по мере развития технологий, у производителей в определенный момент возникла проблема нанесения маркировки – она просто не помещалась на корпусе изделия. 

Чтобы решить эту проблему была придумана специальная кодировка из 2-3 символов, по которой с помощью отраслевого каталога можно определить полное наименование устройства, указывающее на тип и конфигурацию электронного компонента, а также его производителя. 

Для идентификации конкретного устройства SMD, сначала требуется выяснить стиль упаковки (корпуса) и записать обозначение, напечатанное на устройстве. После этого нужно найти его в алфавитном перечне, который составляет основную часть каталога.

Следует отметить, что транзисторный справочник иногда не позволяет точно идентифицировать устройство, а лишь указывает на несколько возможных вариантов, поскольку одинаковый код на корпусе могут носить два и более разных устройств. Это могут быть даже транзисторы одного производителя, причем иногда совершенно разные по конфигурации и назначению устройства. 

Например, если провести идентификацию SMD транзистора DK, то можно обнаружить, что такой маркировочный код имеют несколько устройств: транзистор с низким напряжением насыщения 2SD1628 или N-канальный кремниевый МОП-транзистор 2SK2909 от ТМ Sanyo, эпитаксиальный кремниевый PNP-транзистор 2SB1025 от Hitachi или P-канальный СМД-транзистор BCX42 от Siemens.

Транзисторы K7K

SMD транзистор K7K может быть представлен двумя типами электронных компонентов MOSFET: 2N7002K или DMN601. МОП-транзистор 2N7002K – это N-канальный (NPN) полевой транзистор режима усовершенствования в пластиковом корпусе SOT23, который был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии (RDS (ON)) при сохранении превосходных характеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием. Его целевые типы применения — управление двигателем, функции управления питанием и приложения освещения. 

Его особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление;
• Низкая входная емкость;
• Высокая скорость переключения;
• Низкая утечка на входе/выходе;
• Защита от электростатического разряда до 2 кВ;
• Полностью не содержит свинца и полностью соответствует требованиям RoHS;
• Без галогенов и сурьмы ( «зеленое» устройство).

Для автомобильных приложений, требующих особых изменений управления следует использовать транзистор K7K с суффиксом Q.

Транзисторы H1P и HG1B

Транзистор SMD H1P бывает двух типов: PEMH14 в корпусе SOT666 и PUMH14 в корпусе SOT363. Это транзисторы NPN/NPN со встроенными резисторами смещения: R1 — 47 кОм, R2 – разомкнутый. 

Данные устройства упрощают проектирование схемы и уменьшают количество необходимых компонентов, снижая затраты на сборку и размещение. Они используются в слаботочных периферийных драйверах, для управления входами микросхем. Также могут заменять собой транзисторы общего назначения в цифровых приложениях. 

А вот SMD транзистор HG1B имеет только один вариант конфигурации и представляет собой кремниевый NPN-канальный компонент в пластиковом корпусе SOT89 с полным наименованием 2N5551F.

Он применяется в интегральных схемах для переключения и усиления в низкоточных высоковольтных приложениях, например, таких как телефония. 

Пиковые характеристики транзистора HG1B:

1. Напряжение коллектор-база: 180 В.
2. Напряжение коллектор-эмиттер: 160 В.
3. Напряжение эмиттер-база: 6 В.
4. Ток коллектора IC – непрерывный: 0,6 А.
5. Рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт.
6. Температура перехода: 150 ℃.
7. Температура эксплуатации: от — 65 до 150 ℃.
8. Частота перехода: 100МГц.
9. Выходная емкость коллектора: 6 пФ.
10. Уровень шума: 8 дБ.

Транзисторы L4 

Электронные компоненты, скрывающиеся под краткой маркировкой «SMD транзистор L4» представлены как минимум тремя версиями устройств: усилительные NPN-канальные эпитаксиальные биполярные кремниевые транзисторы 2SC1623 и 2SC4177 в корпусе SOT323, а также KST1623 в корпусе SOT23. 

Все они близки по базовым и граничным характеристикам, отличаются высоким коэффициентом усиления постоянного тока, высоким напряжением и применяются для усиления общего назначения, в частности, в усилителях звуковой частоты.