fga25n120

Биполярные транзисторы типа IGBT (с изолированным затвором) широко применяются в самой разной технике бытового и промышленного назначения. Причем производятся они в нескольких вариациях. Например, для повышения безопасности схемы и продления ее срока службы можно купить FGA25N120 – модель транзистора, дополненная защитным диодом. Такое улучшение предотвращает вероятность воздействия на полупроводниковую часть реверсивных токов. Для корпуса выбран вариант ТО-3Р, с планарно расположенными выводами, что упрощает монтаж на плате. Также на задней поверхности элемент имеет изолированную пластину, повышающую скорость теплообмена для лучшего охлаждения при работе.

Характеристики полупроводникового FGA25N120:

• предельное напряжение участка между коллектором и эмиттером – 1200В;
• проходящий ток – до 50А;
• максимальная мощность – 312Вт;
• прямой ток диодного компонента – 25А.

Корпусная часть изготовлена из материала, способного сохранять эксплуатационные характеристики комплектующих при температуре до +150 градусов по Цельсию. Это позволяет без опасений монтировать элемент рядом с другими мощными деталями.