fgh30s130p

Транзистор FGH30S130P является мощным IGBT-транзистором (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением пробоя и большой способностью коммутации. 

Предназначен для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, источники питания, преобразователи частоты и другие системы, где требуется коммутация больших токов и высокая надежность. Обладает структурой IGBT, объединяющей преимущества MOSFET-транзисторов и биполярных транзисторов, что позволяет достичь высокой эффективности и низких потерь мощности.

Характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 1300 В
• Ток коллектора (IC): 30 А
• Низкое сопротивление включения (VCE (ON)): 1.6 В
• Быстрое время коммутации
• Высокая надежность и долговечность

Транзистор FGH30S130P предоставляет несколько способов подключения в зависимости от конкретных требований и схемы проектирования. 

1. Одиночное подключение:

В этом способе подключается между источником питания и нагрузкой. Затвор управляется сигналом управления и может быть предоставлен от микроконтроллера, операционного усилителя или другого устройства управления. 

2. Подключение в параллель:

В случаях, когда требуется коммутация еще более высоких токов, устройства могут быть подключены в параллель. При этом затворы подключаются к одному и тому же управляющему сигналу. 

3. Подключение в каскаде:

В некоторых приложениях может потребоваться более сложная схема подключения, использующая каскадное соединение. В этом случае один транзистор может контролировать другой, что позволяет увеличить коммутируемое напряжение или обеспечить более высокую степень усиления.