fgh40n60smd

При создании транзисторов FGH40N60SMD производителем использовалась новая технология IGBT с задержкой возбуждения. Это новаторское решение позволило получить оптимальную производительность элемента для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, телекоммуникаций, ESS и PFC приложения, где важны низкие потери при проводимости и переключении.

Распиновка

Модель FGH40N60SMD – это слияние функций полевого и биполярного транзисторов. По аббревиатуре IGBT понятно, что элемент относится к типу биполярных транзисторов с изолированным затвором. Независимо от этого транзистор имеет стандартную для всех типов детали распиновку. Она состоит из:

• коллектора;
• базы;
• эмиттера.

Таким образом у транзистора имеется три стандартных вывода, выполненных из металла, что делает его подключение простым и знакомым.

Основные технические характеристики

Транзистор марки FGH40N60 SMD имеет следующие характеристики:

• напряжение между коллектором-эмиттером, не более: 600 В;
• напряжение между эмиттером-затвором, не более: 20 В;
• импульсный ток на коллекторе – 160А;
• максимальная рассеиваемая мощность при температуре от 25 до 100°С – 349-174Вт.

Транзистор имеет широкий диапазон рабочих температур: от -55 до 150 градусов Цельсия, что гарантирует его надежную работу практически в любых условиях.