fqp50n06

Полевой транзистор FQP50N06 представляет серию мощных полевых транзисторов, которые работают в режиме усиления на n-канал.

Технология ON Semiconductor

Уникальность работы этих устройств заключается в применении производителем специализированной технологии ON Semiconductor с максимальной плоской и минимально рельефной конфигурацией транзистора. DMOS-технология формирования корпуса транзистора специально разработана также для решения трех задач:

• создания предельно малого в рамках транзисторной технологии, сопротивления в открытом режиме работы;
• нового уровня эффективности и отдачи по производительности;
• защиты во время протекания аварийного уровня напряжения.

Использование транзистора: автопром, преобразование тока и другие направления

Эти устройства могут использоваться для сетей с низким напряжением и применяются широко в коммерческом и бытовом сегменте электроники:

• автомобильная промышленность, в частности внутренние сети для салонов авто и обеспечения электроэнергией;
• конвертация тока;
• высокоэффективные переключатели в сетях малого напряжения для компактных гаджетов, портативных решениях для компьютерной и организационной техники;
• в гаджетах, работающих от внутреннего заряда энергии – аккумулятор или батарейка.

Базовые функции и электрические параметры – напряжение, сопротивление, ток

Номинальный ток работы – до 50 А при напряжении 60 В. Сопротивление перехода в направлении «сток-исток» в открытом состоянии RDS измеряется на этом транзисторе 0,022 Ом. При этом максимальное напряжение на линии затвор-исток VGS оставляет не более 10 В. На затворе создается небольшой уровень собственного заряда, что положительно сказывается на работе устройства и его регулируемости. Базовый номинальный показатель – до 31 нКл.

Конструкция характерна улучшенной технологией переключений dv/dt для скоростного реагирования на изменения в сети.

Максимальная номинальная температура для осуществления гарантированного N-перехода, составляет не более +175°C.