igbt 1200в

Относительно недавно на рынке электроники появился новый вид IGBT-транзисторов. Это устройства, рассчитанные на максимальное напряжение 1200В. Такие транзисторы, как igbt 1200в, значительно уменьшают ежедневное влияние на окружающую среду индустриального оборудования, а также бытовой техники. А достигается это путём снижения потерь на переключения и проводимость, как двух основных источников потерь энергии в случаях применения транзисторов.

Что касается силовых модулей IGBT (IGBT power module), то их необходимость продиктована превращением электроэнергии, что осуществляется с одной формы в другую с целью облегчения использования её имеющимися в нашей жизни цифровыми устройствами. 

При этом igbt power module в процессе таких превращений нагреваются и потери при этом доходят до 5%. Особенно это заметно в электромобилях, где такая потеря может достигать 15%. Однако, это небольшой процент нагревания с потерями от которого производители успешно научились бороться, включая в схемы ряд других элементов.

MOSFET-транзисторы и IGBT. Принципиальная разница и особенности использования

На сегодняшний день все инверторы (устройства для преобразования тока и изменения при этом величины напряжения) изготавливаются с использованием двух различных технологий полупроводников – IGBT и MOSFET, то есть с использованием различных видов транзисторов. Другими словами, в своих схемах одна технология предусматривает установку IGBT-транзисторов, в то время, как другая – MOSFET. Возникает вопрос: в чём разница между ними и какие устройства лучше в данном случае.

Нужно сразу отметить, что схема электрическая с транзисторами мосфет icbt-устройства исключает априори. Вся причина здесь кроется в их различных показателях тока коммутации. Если первые из них не могут похвастаться большими показателями, то IGBT-транзисторы имеют большой ток.

Теперь посмотрим на проблему с практической точки зрения. В то время, как для изготовления одного обычного инвертора потребуется в среднем 2, максимум 4, транзистора IGBT, то Mosfet-транзисторов придётся установить 10, а то и 12. Так как они не в состоянии через себя пропустить токи больших значений, то их в таких случаях банально разделяют на большое количество устройств этого типа.

И ещё одно очень важное преимущество IGBT-устройств. При прохождении токов повышенных значений MOSFET здорово нагреваются, в связи с чем их необходимо устанавливать на алюминиевые радиаторы больших мощностей. Причём, чем больше установим радиатор – тем лучше. Следовательно, если много транзисторов MOSFET, то и много потребуется радиаторов, а это увеличение площади самого инвертора.

Мини инверторные технологии IGBT, преимущества и применение 

Сегодня многие производители ММА сварочных инверторов пытаются разнообразить свои изделия, сделав их пригодными для использования в различных условиях и ситуациях. В связи с этим для проведения сварочных работ на высоте или в труднодоступных местах возникла необходимость в таких инверторах, которые бы отличались своей компактностью и небольшим весом. Таким образом появились мини инверторы. Для их изготовления потребовались и более компактные схемы IGBT технологий, да и самих IGBT-транзисторов или блоков. 

При этом, главным условием является сохранение своих технических качеств такими мини igbt технологиями. Это касается, прежде всего, энергосбережения. В результате мини ММА аппараты, изготовленные с использованием IGBT-технологий, сегодня с успехом применяются во всех местах проведения сварочных работ с затруднённым доступом, а также на высоте. Это облегчает их транспортировку, установку и закрепление в таких местах.

IGBT-транзисторы, их основы конструктивного устройства и применение

Одним из наиболее важных элементов современной силовой электроники является полупроводниковый ключ. На базе такого элемента и с его применением изготавливаются такие изделия, как инверторы (усилители электроники), бестрансформаторные преобразователи напряжения и тока, а вместе с ними и преобразователи частоты. Это даёт возможность добиться значительного уменьшения габаритных параметров или размеров этих изделий, упростить электрическую схему монтажа с одновременным улучшением следующих технических характеристик:

• напряжение и ток управления;
• сопротивление канала;
• потери динамического и статического характера;
• ток силового канала и установленное напряжение;
• допустимая частота переключений.

Одним из элементов схем таких преобразователей является транзистор биполярного типа с изолированным отдельно затвором или просто IGBT. При этом, такого рода igbt transistor используется в электрических схемах большой мощности. Конструктивно каждый из таких элементов состоит из общей полупроводниковой структуры, в которой расположены два транзистора: биполярный и полевой. Но, в данном случае располагаются они по принципу каскадной схемы, где первый из них – биполярный являет собой силовой контакт, а полевой, то есть, второй из транзисторов – канал управления. Объединены оба транзистора, как элементные ячейки одного общего кристалла.  

IGBT-элементы высоковольтных электрических схем сегодня вытесняют из них тиристоры, что даёт возможность создавать источники вторичного питания импульсного типа, характеристики которых значительно лучше.