IGBT 400A

В оснащении интегральных микросхем средней и высокой мощности применяют модули, построенные на базе IGBT транзисторов. Компонент появился в 90-х годах прошлого столетия путем сочетания потенциалов биполярного и полевого полупроводника. БТИЗ — это электронное устройство с тремя электродами, используемое как мощный электронный ключ в импульсных стабилизаторах напряжения, генераторах периодического напряжения, в частотно-регулируемых приводах. 

Полупроводниковые модули БТИЗ от японского производителя Mitsubishi

Транзисторный IGBT модуль предназначен для генерации, усиления и преобразования электрического сигнала, а также коммутации цепей с высокой токовой нагрузкой. В оснащении 99,99% силового оборудования полупроводниковые устройства играют роль электронного ключа, выполняющего коммутирующие функции. Управление БТИЗ осуществляется напряжением при помощи затвора, а переключаемый ток проходит между эмиттером и коллектор. Без транзисторов не обходится ни один бестрансформаторный преобразователь тока и напряжения или частоты. Структура БТИЗ дала возможность создавать электронные ключи на рабочее напряжение до 6500 В, а применение принципа параллельного включения позволило коммутировать токи до 3600 А. 

Наиболее востребованным в техническом оборудовании считается биполярный транзистор с рабочим током коллектора 400 А, например, транзистор мод IGBT VZ3IM1400M1271 компании Mitsubishi из Японии. Полупроводниковый прибор используется в сварочном инверторном оборудовании, индукционных печах. Высоковольтные БТИЗ модули, особенно повышенной мощности, применяются в силовых приводах и электрических машинах постоянного и переменного тока, выпрямителях, инверторах, преобразователях напряжения, частоты, электрогенераторах, ИБП и бытовой технике. Например, IGBT модуль  CM1200E4C-34N от японского производителя Mitsubishi.

Объединение нескольких кристаллов в одном корпусе и электрическое соединение компонентов по требуемой схеме обеспечило получение мощного электронного ключа. Данная конструкция обозначается, как модуль IGBT. В конструкции IGBT-модулей используются кристаллы германия, кремния или арсенида галлия, изготовленные по инновационным полупроводниковым технологиям. 

Прогрессивная методика позволяет добиться превосходных результатов:

• повышенная температура перехода;
• небольшое падение напряжений;
• минимальные потери во время переключения;
• прочность;
• быстродействие при коммутации;
• отказоустойчивость.

Дискретные IGBT-модули производятся в различных вариациях. Это может быть одиночный силовой ключ, силовая часть регулятора ШИМ, полный трехфазный мост или однофазная трехуровневая схема.

Транзисторы всемирно известных производителей полупроводников Semiconductor и Infineon Technologies AG

IGBT транзистор FGA15N120ANTD от Semiconductor обладает траншейной конструкцией, разработанной и запатентованной специалистами компании Fairchild. В устройстве использована прогрессивная методика NPT и тренч-стоп технология. Данный симбиоз обеспечивает прекрасный результат — транзистор может эксплуатироваться с напряжением до 1200 В, при максимальном токе в 400 А, обеспечивая превосходную проводимость и коммутационную способность. Отличается потоковой стойкостью и простой параллельной эксплуатацией.

Специфика устройства: 

1. Безупречная надежность.
2. Высокое напряжение пробоя до 1250 В.
3. Внедренная тренч-стоп технология.
4. Оперативная коммутация с минимальными потерями.
5. Высокая прочность.
6. Температурная стабильность.
7. Низкое напряжение насыщения.
8. Мягкие формы волны выключения по току
9. Усиленная лавинная способность

Полупроводниковый прибор FGA15N120ANTD идеально подходит для приложений с мягкой коммутацией, например, индукционный нагрев, что объясняет его применение в микроволновых печах. 

Немецкая компания Infineon Technologies AG из города Нойбиберга, Германия является мировым производителем полупроводников с 1999 года. В ассортимент производителя входят дискретные элементы и силовые модули, например, транзистор IGBT IRGPS60B120KDP. Полупроводниковый прибор относится к семейству БТИЗ. Одиночный транзистор облачен в корпус типа SUPER247, предназначен для работы с напряжением до 1200 В и током 120 А, рассеиваемая мощность 595 Вт. Оснащен встречно-параллельным диодом для защиты от электростатических разрядов в ИС. Монтаж осуществляется в отверстия по технологии ТНТ.