igbt цена

Впервые полупроводниковый элемент IGBT-класса был изобретён в 1977 году советскими инженерами. Это устройство назвали побистором и оформили заявку на изобретение, по которой было выдано авторское свидетельство «закрытого» типа, то есть информацию запрещалось размещать в открытых источниках. В дальнейшем побисторы стали выпускаться серийно, составив серьёзную конкуренцию тиристорам и биполярным транзисторам. Отмечалась перспективность применения этих приборов в составе оборудования энергетического сектора.

Использование технологии полевого управления позволило разработать мощные полупроводники, нашедшие применение в источниках питания и энергетических установках, инверторах и приводной аппаратуре. Традиционные тиристоры быстро вытесняются биполярными полупроводниковыми элементами с полевым управлением. Пример – apt75gt120jrdq3 igbt транзистор 1200v 97a 480w sot227.

История изобретения

В конце 70-х в одной из советских лабораторий исследовались импульсные схемы на МДП-транзисторах. В ходе эксперимента МДП запускал мощный биполярный транзистор. Инженеры заметили, что при соединении стока с коллектором появляется новый эффект. Была подана заявка на изобретение нового элемента, а в апреле 1980 года по этой заявке было выписано авторское свидетельство. Авторы изобретения получили за него по 50 рублей.

Через некоторое время к аналогичному решению пришли и на Западе. Там первые упоминания о побисторах, получивших название БТИЗ, появились в специальных журналах в 1985 году. То есть советские изобретатели опередили зарубежных инженеров компаний General Electric, Hitachi и Mitsubishi Electric на 5 лет. Сегодня же igbt 200a 1200v является прибором массового применения, который можно недорого купить на десятках площадок интернета.

Развитие технологий

Инженерные подходы в сфере силовой электроники совершенствуются ежечасно:

1. Если ещё вчера повсеместно использовались электромеханические реле с подвижными контактами, то сегодня кругом стоят твердотельные, у которых механической части нет. 
2. Вместо тиристоров используются полевые транзисторы. 
3. Даже конденсаторы производятся по новым технологиям с использованием новейших материалов. 

В результате ещё в 2000 году доля силовых схем на БТИЗ составляла 29%, в то время как электронной аппаратуры предыдущего поколения оставалось всего 19%. А за последние два десятка лет произошёл вообще качественный скачок: осуществлена полная заменена на БТИЗ и MOSFET в части силовых ключей.

В наши дни инженер, разрабатывающий преобразователь энергии, непременно выбирает fuji igbt, управляемый напряжением, а не током. В результате управление оказывается намного проще, а стоимость готового изделия меньше.

Продукция Fuji Electric

Одним из флагманов в сфере разработки и производства БТИЗ-полупроводников является японская компания Фуджи. IGBT-приборы этого бренда могут выдерживать высокие напряжения и большие токи. Они обладают структурой, отличной от обычных полупроводников, что позволяет им выдерживать высокие нагрузки без повреждений. Отказы могут возникать из-за повышения температуры в результате выделения тепла при работе с большой мощностью. Поэтому инженерами фирмы разработаны способы уменьшения потерь в силовых полупроводниках, которые являются причиной выделения тепла, а также технология эффективного отвода выделяемого тепла наружу.

БТИЗ-полупроводники в основном используются:

• для преобразования энергии, например, для изменения напряжения и частоты;
• для преобразования постоянного тока в переменный и переменного тока в постоянный;
• IGBT-полупроводники Fuji играют огромную роль в точном управлении двигателями от низких до высоких скоростей, снабжении электросетей энергией, вырабатываемой солнечными батареями;
• они важны для обеспечения стабильного источника электроэнергии для различных бытовых приборов и электрооборудования.

В последние годы возросло осознание необходимости энергосбережения и снижения энергопотребления, и в результате возросла потребность в полупроводниках fuji electric igbt, которые минимизируют потери мощности.

Модули

Модули БТИЗ были разработаны для использования в качестве переключающих элементов частотных преобразователей приводов с регулируемой скоростью для мощных двигателей, источников бесперебойного питания. БТИЗ — это полупроводниковый прибор, сочетающий в себе высокую скорость переключения полевого МОП-транзистора с возможностями биполярного.

В серии X седьмого поколения БТИЗ-элементы и диодные устройства, составляющие модули, были сделаны тоньше и миниатюрнее для оптимизации габаритных размеров устройства. Это уменьшило потери мощности во время работы инвертора по сравнению с обычными продуктами, что способствует энергосбережению и снижению затрат на электроэнергию на оборудовании, на котором установлен модуль.

Модуль igbt для частотного преобразователя 7-го поколения обладает следующими преимуществами: во-первых, потери инвертора снижены на 11%. Во-вторых, чтобы обеспечить эффективный отвод тепла, была использована изолирующая подложка. В-третьих, благодаря использованию термостойкого материала для корпуса удалось поднять рабочую температуру до 180 градусов Цельсия. Наконец, устройство обладает на 40% большей производительностью, чем модули предыдущих поколений.

О компании

Фирма Фуджи Электрик 29 августа 2023 года отметит 100-летний юбилей. Компания со штаб-квартирой в Токио сегодня выпускает лучшие в мире системы бесперебойного питания, силовые полупроводники, электрораспределительное и транспортное силовое оборудование. В компании работает 26,5 тыс. человек, годовой доход составляет $1.6 млрд, чистая прибыль $200 млн. продукция реализуется на всех континентах через огромную дистрибьюторскую сеть и официальные торговые представительства.