IGBT транзисторы купить

Транзистор является первым твердотельным устройством, предназначенным для формирования, увеличения, преобразования и коммутации электрического сигнала. Компонент широко применяется в схемах современных электронных устройств, цифровых микросхем и чипов. Транзистор представляет собой компактный триод миниатюрных размеров, спроектированный на базе германия, кремния или арсенида галлия. Семейство полупроводников состоит из двух больших классов биполярных и полевых транзисторов.

Дискретные полупроводники

Силовой транзистор IGBT является гибридным устройством, используемым как электронный ключ для цепей большой мощности. Аббревиатура IGBT в наименовании означает Insulated Gate Bipolar Transistor, а в переводе с английского звучит как биполярный транзистор с изолированным затвором. Сфера применения данных транзисторов обширна: силовое промышленное оборудование, ИБП, системы автоматизации техпроцессов и управления электрическими частотно-регулируемыми приводами.

Ввиду высокой востребованности транзисторов IGBT в силовой электронике, их выпуском занимаются многие известные производители из Китая, Европы и Америки. Китайские IGBT транзисторы — это бюджетные устройства для изменения величины тока, которые сочетают потенциал биполярных и полевых приборов.

Преимущества транзисторов IGBT:

• обладают высоким сопротивлением на входе и минимальным током управления;
• имеют низкие показатели остаточного напряжения во время эксплуатации;
• допускают незначительные потери в рабочем состоянии при максимальных токах и напряжениях;
• обладают характеристиками коммутации и проводимости БТИЗ;
• управление осуществляется не током, а напряжением.

Производитель Advanced Power Technologies, Inc начал свою деятельность в конце 80-х годов прошлого столетия в качестве оборонного подрядчика. После череды приобретений и реорганизаций, в 1998 году предприятие превратилось в частную компанию, специализирующуюся на радиочастотной и оптической инженерии, сетях связи и цифровых системах управления. В настоящее время Advanced Power Technologies входит в дочернюю компанию Microchip Technology — Microsemi Corporation.

Производители БТИЗ

Получив большой опыт в производстве высоконадежных дискретных компонентов для ВПК и аэрокосмической промышленности, компания выпускает интегральные схемы, дискретные полупроводники и другие электронные компоненты. 

Номенклатура радиочастотной продукции компании очень широка: 

• БТИЗ;
• полевые транзисторы высокой мощности;
• диоды на основе барьера Шоттки;
• диоды с быстрым восстановлением;
• мощные высокочастотные силовые транзисторы;
• модульные сборки на основе кристаллов дискретных элементов.

Одно из направлений деятельности объединяет производство компонентов с повышенным потенциалом и улучшенными характеристиками для оборонной промышленности, включая космос. Примером дискретного полупроводника служит APT75GT120JRDQ3 IGBT транзистор 1200V 97A 480W SOT227. Он представляет собой высоковольтный силовой модуль нового поколения, разработанный на базе одиночного кристалла NPT и биполярного транзистора с изолированным затвором. 

Инновационная технологии IGBT Thunderblot позволяет добиться:

1. Безупречной прочности.
2. Оперативной коммутации.
3. Небольшого падения напряжения.
4. Высокой частоты переключения.
5. Минимальных величин остаточного тока.
6. Ничтожно малых токов утечки.

Максимальное рабочее напряжение транзисторного модуля APT75GT120JRDQ3 составляет 1200 В, предельная величина тока может достигать 97 А, а наибольшая мощность 480 Вт. Дискретный полупроводник упакован в миниблок СОТ-227-4, крепление осуществляется на шасси. Рекомендован для эксплуатации при температуре от -50°С до +150°С. Транзистор не содержит свинца и полностью соответствует требования экологического стандарта RoHS.

TOSHIBA является японским транснациональным конгломератом со штаб-квартирой в столичном районе Минато. Многопрофильная компания работает одновременно по нескольким направлениям, одно из которых – производство дискретных полупроводников, в том числе транзисторов IGBT. БТИЗ Toshiba нашли широкое применение в системах высокоскоростного управления энергией большой мощности. Особенность IGBT транзистора заключается в четырехслойной структуре PNPN.

Примером продукции, служит транзистор IGBT Toshiba ST1500GXH24. Это интегральный тиристор с затвором, предназначенный для поверхностного монтажа, применяемый в преобразователях мощности и моторных приводах.