Интегральный полевой транзистор

В униполярном полевом транзисторе 11n20 ток управляется электрическим полем, а основной частью его конструкции является полупроводниковый кристалл с двумя диодами. Эти, также называемые полевыми, являются полупроводниками и управляют величиной тока, протекающего через них. Существует несколько типов и разновидностей униполярных, но наиболее распространены МОП Их основная цель — действовать как ключ для активации компонентов, потребляющих много энергии.

История транзисторов началась в 1925 году, когда в нескольких странах мира был выдан первый патент на это устройство. Интересно, что первоначальным проектом Юлиуса Эдгара Лилиенфельда был, похожий по структуре на MOSFET-транзисторы. Однако эта модель осталась только в стадии проектирования, в основном из-за отсутствия технологических возможностей для ее производства. Первые правильно изготовленные увидели свет только после 1950 года.

Конструкция типичного униполярного транзистора

В начале стоит начать с определения точной конструкции униполярного транзистора. Его основным элементом является кристалл легированного соответствующим образом полупроводника с двумя электродами. Один из них, обозначенный символом S, а другой, обозначенный буквой D. Между этими электродами образуется так называемый канал, по которому протекает ток. Вдоль находится третий электрод — ворота, которые обозначаются буквой Г.

МОП- полевые транзисторы 4n60 металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор является наиболее распространенным вариантом униполярного транзистора. Он построен из нескольких основных элементов, характерных только для этого устройства. В него входят, в том числе:

• Затворы G, S, D;
• Подложка B;
• Вспомогательные части в виде полупроводника P и изолятора или пространства для N.

В подложке в виде полупроводниковой пластины P- или N-типа имеются две области N+ или P+, которые за счет высокого легирования образуют. Именно к ним подводятся контакты. Между и находится поверхность полупроводника, покрытая тонким слоем изолятора толщиной в несколько нанометров. Затвор изготовлен из металла, напыленного на изолятор. Интересно, что большой электростатический заряд, а он может составлять даже несколько десятков киловольт, способен повредить устройство, физически прожигая тонкий изолирующий слой. Чтобы избежать этого, многие электронные устройства на МОП-транзисторах хранятся в проводящей фольге. Эта функция безопасности постоянно предотвращает попадание электростатических зарядов непосредственно в цепи.

В канале ток протекает между, и он регулируется изменением на линии затвор. В электронике существует два типа полевых транзисторов irf512: с обогащенным и с обедненным. Обогащенный, также называемый индуцированным, формируется только тогда, когда затвор-исток превышает пороговое значение Ut. С другой стороны, истощения существует, даже когда затвор-исток равно нулю. Кроме того, МОП-транзисторы очень быстродействующие, особенно по сравнению с биполярными, в основном из-за того, что происходящие в них явления носят чисто электростатический характер.

MOSFET- полевые транзисторы s17884dp поляризованы таким образом, что один носитель течет в направлении от, поэтому существует два диапазона их работы: диапазон насыщения и диапазон ненасыщения. Диапазон определяется, и если оно больше насыщения, находится в диапазоне насыщения.

Переходные полевые транзисторы

Полевые с переходом, также известные как JFET, конструктивно сильно отличаются от MOSFET. Они состоят из полупроводника N-типа или P-типа и легированного слоя полупроводника противоположного типа: P+ и N+, что приводит к p-n переходу. Выведены три вывода в виде D и затвора G. Благодаря своим характеристикам полевой может работать в трех диапазонах. Линейный, в котором ток зависит от напряжения, поэтому ведет себя как резистор. Насыщение, когда ток зависит только от линий затвора, а должно превышать определенное значение, а также лавинное умножение.

Купить полевой транзистор irfz44n необходимо, есть нужна изолированная модель, в которой затвор отделен от канала диэлектриком, т.е. слоем изоляции. Эти состоят из трех электродов, а именно:

1. Затвора G.
2. Стока D.
3. Истока S;
4. Подложки B в качестве четвертого электрода. 

Очень часто полевые транзисторы используются в качестве быстродействующих ключей в импульсных источниках питания, в интегральных схемах, а также в качестве дискретных компонентов. Интересно, что мы различаем два типа с изолированным затвором, отличающихся техникой исполнения. MISFET или MOSFET (полупроводниковый полевой с металлическим изолятором или полупроводниковый полевой изолятор с оксидом металла) представляет собой модель, изготовленную из монокристаллического проводника с изолятором из диоксида кремния.

Каждый MOSFET-транзистор характеризуется несколькими параметрами, на которые следует обращать внимание при выборе конкретной модели. К числу наиболее важных из них относится допустимое напряжение сток-исток, обозначенное символом U DSmax. Слишком большое значение этого параметра может привести к поломкам, что может привести к полному и непоправимому повреждению транзистора.

Вторым параметром, не менее важным и необходимым, является максимальный ток стока, обозначаемый символом I Dmax. Если ток в МОП-транзисторе слишком велик, может случиться так, что его структура и внутренние соединения сгорят.