г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irf3205 купить

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Металл-оксидный MOSFET транзистор IRF3205 — это электронный компонент с N-каналом, рассчитанный на высокий ток коммутации до 110 А и 55 В пикового вольтажа.

Особенности

Этот транзистор имеет очень маленькую резистентность в открытом режиме, что делает его пригодным для различных переключающих схем, таких как:

  • DC-преобразователи; 
  • драйверы моторов; 
  • частотные преобразователи и т. д. 

Alt: Полевой МОП-транзистор IRF3205

Купить транзистор IRF3205 стремятся многие для различных схем, так как он дешевый и достаточно эффективный, но так как его пиковое напряжение высокое, он не всегда подходит для схем типа «вкл./выкл.» с управлением через микроконтроллеры.

IRF3205 предлагается в корпусном исполнении TO-220AB из комбинации пластика и эпоксидных материалов, а внешнее покрытие выполнено из металла, который используется в качестве среды для передачи тепла. К внешнему металлическому покрытию можно легко подключить радиатор.

Принцип работы

Три клеммы IRF3205 выполнены из материала N-типа, а корпус MOSFET с подложкой сделан из материала P-типа. На подложку наносится дополнительный слой оксида кремния. 

Процесс проводимости можно осуществить за счет движения электронов, чтобы сделать транзистор униполярным. Изолирующий слой отделяет клемму затвора (G) от всего корпуса МОП-транзистора, а область между истоком (S) и стоком (D) известна как N-канал.

Этот канал управляется с помощью напряжения на клемме затвора. Если положительное напряжение подается на МОП-структуру, то распределение заряда изменяется: его носители (дырки), доступные под оксидным слоем, сталкиваются с силой и перемещаются вниз. Если приложить больше электронов, то они увеличат общую проводимость канала, что приведет к изменению внутри подложки на материал N-типа.