г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irf530

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Транзисторы занимают важное место в современном электротехническом производстве. Особенность этих деталей в возможности управлять большими токами при помощи малых. Причем по типу контролирования транзисторы разделяют на биполярные и полевые, такие как IRF530N. В случае с последними управление производится посредством электрического поля. Рассмотрим упомянутую модель транзистора. Она является N-канальной, собранной на основе полупроводниковой пластины с аналогичным зарядом. 

Alt: внешний вид транзистора

Технические характеристики IRF50N:

  • предельный эксплуатационный ток – 17А;
  • максимальное рабочее напряжение – 100В;
  • тип использованного корпуса – ТО220.

Из корпуса ведут 3 контакта: сток, исток, затвор. Благодаря регулировке тока на затворном выходе можно управлять напряжением на участке сток-исток. Подключение в схему производится стандартным для полевых транзисторов способом – с общим выводом (одним из трех). 

К недостаткам модели можно отнести высокую чувствительность к статическому электричеству. Его наличие может не просто влиять на характеристики детали, но и привести к ее поломке. Также она плохо переносит перегрев. Поэтому монтажные работы лучше выполнять с помощью паяльника, оснащенного регулятором температуры и заземлением.