irf5305

MOSFET транзисторы плотно вошли в современную электронику. Их особенность в более высоких эксплуатационных характеристиках и сниженных показателях потерь, шумов в сравнении со старыми версиями. При этом область применения остается предельно обширной. Например, модель IRF5305 может быть использована в схемах источников питания, регуляторных блоках, стабилизационных и преобразовательных устройствах, при формировании управляющих цепей, а также в радиоэлектронике. Модель оснащена обратным диодом, что позволяет ей работать в ключевом режиме.

Технические характеристики IRF5305:

• тип устройства – полевой MOSFET транзистор;
• полярность – P;
• максимальное напряжение на участке сток-исток – 55В, затвор-исток – 20В;
• предельное питание управляющего участка – 4В;
• максимум эксплуатационных температур – +175оС;
• пороговый ток на стоке (постоянного характера) – 31А.

Корпус модели – ТО-220. При работе с максимально допустимым напряжением эта модель более вынослива, поскольку обладает эффективным теплоотводом в виде изолированной пластины на задней панели.