IRF830

Транзистор IRF830 является полевым (MOSFET) транзистором мощности, производимым различными компаниями, включая Infineon Technologies и других производителей. Компонент широко применяется в различных схемах усиления и коммутации, где требуется управление большими токами и высокими напряжениями.

Некоторые основные характеристики транзистора IRF830 в типичных спецификациях могут включать следующее:

• Напряжение стока-истока (Vds): обычно в пределах 500 В;
• Ток стока (Id): обычно в пределах нескольких ампер (например, 4 А или 8 А);
• Сопротивление стока-истока (Rds (on)): обычно в пределах нескольких ом (например, 0,5 Ом или 0,3 Ом).

IRF830 имеет конструкцию N-канала, что означает, что управление током происходит через отрицательный вход (затвор), а ток течет от источника к стоку. Он может использоваться в различных приложениях, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы и другие устройства, где требуется коммутация высоких токов и низкое сопротивление проводимости. Важно отметить, что конкретные характеристики и параметры транзистора IRF830 могут варьироваться в зависимости от производителя и поколения устройства.