г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irf840

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

IRF840 – N-канальный MOSFET транзистор поверхностного монтажа с изолированным затвором, разработан компанией IR или International Rectifier, впоследствии поглощенной Vishay. Выполнен в пластмассовом корпусе ТО-220АВ стандартного исполнения. IRF840 транзистор изготовлен по разработанной в 1979 году технологии Hexfet, направленной на уменьшение сопротивления открытого канала.

alt: Размеры транзистора IRF840

Преимущества транзистора IRF840:

  • невысокая стоимость;
  • значительная мощность;
  • максимальная температура канала до 1500С;
  • переключение с высокой скоростью;
  • низкое тепловое сопротивление;
  • низкий заряд затвора;
  • экологически безопасная технология изготовления, в которой не предусматривается применения свинца.

IRF840 транзистор широко востребован в промышленности и среди радиолюбителей. Сфера применения полупроводника распространяется на стабилизаторы, преобразователи постоянного тока, источники импульсного и бесперебойного питания, сварочное оборудование. Транзистор можно встретить в схемах питания электромоторов и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Цоколевка со стороны маркировки выглядит следующим образом: затвор, сток, исток.