irf9640

Полевой Р-канальный транзистор IRF9640 обладает хорошим динамичным фильтром dV/dt, важным для регуляции стартовой работы электродвигателей и других мощных устройств с импульсными базовыми значениями. Особенность диода в использовании для регуляции исключительно P-канала. Среди важных показателей работы диода – высокое быстродействие и минимальные требования к обеспечению токовыми нагрузками.

Особенности и характеристики MOSFET-диода

Модель этого диода, который выпускается известным производителем полупроводниковой техники Vishay. Вариант этого диодного устройства обладает:

• высокой прочностью, включая электрическую прочность;
• простоту монтажа;
• низкое сопротивление току;
• возможность использования с минимальными затратами для сборки сложных устройств и систем.

Для защиты диода используется внешний корпус TO-220AB, который принято считать универсальным для использования как в бытовых приборах, так и для промышленного, коммерческого применения.

Основные электрические параметры

МОП-транзистор исполнен в классическом варианте из кремния в сочетании с оксидо-металлическими компонентами. Входное напряжение на линии сток-исток – Vdss – может достигать значения 200 В. При максимальном потреблении и напряжении тока в номинальном режиме, предельный показатель рассеиваемой мощности составляет 125 Вт. Входящий ток Id при нагреве корпуса полупроводника до +25°C может составлять 11 A. Заряд на затворе полупроводника – не более 44 нКл при 10 В напряжения.

Входная емкость при, например, 25 В, составляет не более 1200 пФ.

Предельно допустимое напряжение на линии затвора истока может составлять 20 Вольт при этом пороговое напряжение для начала работы диода составляет 4 В. Температурный диапазон для работы полупроводникового канала не может превышать +150°C.

Малый нагрев

Популярность использования диода также связана с его низким показателем нагрева и необходимостью рассеивания тепла во время работы не выше 540Вт, что можно считать очень хорошим показателем для конкурирующих устройств.