IRFB4115

IRFB4115 является мощным полевым транзистором (MOSFET), который обладает высокой эффективностью и низким сопротивлением. Он способен работать с высокими токами и напряжениями. Основные технические характеристики:

• тип — полевой с изолированным затвором;
• напряжение стока-истока предельное (VDS) — 150 В;
• значение напряжения между затвором и истоком (VGS) — ± 20 В;
• ток на стоке предельно допустимый (ID) — 104 А;
• максимальное значение напряжения включения — 5 В;
• сопротивление открытого стока предельное — 0,004-0,011 Ом;
• температура канала, предельно допустимая — +175°С;
• емкость выхода — 490 пф;
• мощность потерь включения (рассеивание) — 380-400 Вт;
• коэффициент усиления тока (hFE) — относительно низкий, обычно около 10;
• корпус — ТО220АВ.

Транзистор IRFB4115 широко используется в различных областях электроники. Ниже приведены некоторые примеры его применения:

• Источники питания в импульсных схемах.
• Электроника автомобилей в системах управления двигателем, электронных блоках питания и прочих.
• Солнечные батареи — в инверторах, контроллерах заряда и других устройствах.
• Промышленность — в преобразователях частоты, стабилизаторах напряжения, управлении электродвигателями и других электронных устройствах.
• Радиосвязь и телекоммуникации — в системах управления высокими мощностями передатчиков, амплификации сигналов.