irfbe30

Транзистор IRFBE30 является мощным MOSFET-транзистором, обеспечивающий высокую производительность и эффективность в различных электронных приложениях. Широко применяется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электромоторы, источники питания, светодиодные драйверы и другие устройства, требующие коммутации высокого тока.

Является N-канальным MOSFET-транзистором в корпусе TO-220AB. Оснащен тремя выводами: истоком (Source), стоком (Drain) и затвором (Gate). Способен работать с напряжением питания до 600 вольт и током стока до 4 ампер. Отличается низким сопротивлением открытого состояния (RDS (on)), что обеспечивает эффективное управление мощными нагрузками.

Характеристики:

— Номинальное напряжение стока (VDS): до 600 В

— Номинальный ток стока (ID): до 4 А

— Номинальное сопротивление открытого состояния (RDS (on)): низкое значение, обеспечивающее малую потерю мощности

— Напряжение затвор-исток (VGS (th)): типичное значение около 2-4 вольта

— Температурный диапазон работы: обычно от -55°C до +175°C

Транзистор IRFBE30 имеет широкий спектр применений в различных областях. Его основная область применения включает управление мощными нагрузками в электронных системах. 

1. Источники питания: Может использоваться в источниках питания для регулирования напряжения и управления током.
2. Силовые усилители: Благодаря своей способности работать с высоким напряжением и током стока, может быть использован в силовых усилителях для управления мощными нагрузками.
3. Индустриальные приложения: Применяется в различных индустриальных системах, таких как преобразователи частоты, промышленные контроллеры и электроприводы.