г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irfd110

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

IRFD110 — это мощный МОП-транзистор, обладающий высокой скоростью переключения. N-канальный полевой полупроводник с кремниевым затвором имеет очень низкое сопротивление во включенном состоянии (0,54 Ом). Рабочее напряжение 100 В, ток 1 А. Прочный компактный корпус с четырьмя жёсткими выводами может использоваться для автоматического монтажа. Максимальная рассеиваемая мощность 1,3 Вт. Низкая стоимость изделия позволяет широко использовать его в массовом производстве электронного оборудования. 

Мощные MOSFET-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчикам электронных приложений лучшее сочетание следующих характеристик: моментальное срабатывание, прочная конструкция корпуса, хороший теплоотвод, низкое сопротивление, рентабельность в серийном производстве.

Технические параметры

Внешний вид устройства, распиновка и характеристики представлены на изображении.

Цоколёвка и рабочие значения

Области использования

Этот МОП-транзистор нашёл широкое применение в составе следующих приложений:

  1. Усилители звукового сигнала – в качестве ключей для управления усилителями мощности и динамиками. 

  2. Источники питания – для управления входным напряжением и током. 

  3. Преобразователи DC-DC – как коммутационный ключ. 

  4. Автомобильная электроника – в качестве коммутирующего устройства для осветительных приборов.

  5. Солнечные батареи – участие в процессе преобразования DC-AC.