г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irfp064n

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Устройство с наименованием IRFP064N является полевым металл-оксидным полупроводниковым транзистором MOSFET N-канального типа. Данный многофункциональный девайс поставляется в корпусном исполнении TO-247.

Назначение и преимущества

Это высоконадежное, эффективное и защищенное устройство может применяться в широком диапазоне промышленных схем: блоках питания, приводах моторов, ИБП, DC-DC конвертерах, солнечных панелях и батареях, зарядках и схемах BMS.

Alt: Полевой МОП-транзистор IRFP064N

Почему стоит купить транзистор IRFP064N (преимущества):

  1. Минимальное время переключения
  2. Сверхнизкая резистентность между коллектором и эмиттером обеспечивает меньшее тепловыделение при подключенной нагрузке.
  3. За счет абсолютного лавинного рейтинга он может выдержать превышение фактических пределов напряжения коллектор-эмиттер.
  4. Температурный предел эксплуатации +175°C.
  5. Усовершенствованный технологический процесс.
  6. Устойчивость к резкому изменению напряжения dv/dt.

Граничные рейтинги и аналоги

Пиковый непрерывный ток коллектора транзистора IRFP064N может достигать 110 А, за счет чего ему доступно управление различными сильноточными нагрузками в интегральных схемах.

Для бесперебойной работы устройство не должно достигать своих предельных характеристик. Для хорошей производительности транзистор должен использоваться на 20% ниже пиковых показателей.