irfp260n

IRFP260N – N-канальный MOSFET транзистор на 200 В, разработан компанией International Rectifier. Американский производитель специализируется на производстве микросхем на основе полупроводниковых компонентов. Устройство относится к силовым транзисторам HEXFET пятого поколения. Представляют собой монолитный кристалл с тысячами полевых транзисторов. Примененная технология позволила снизить сопротивление открытого канала и при этом увеличить ток стока. Разработчики широкого ряда приложений предпочитают купить IRFP260N транзисторы для установки в системы освещения, управления нагрузками, двигателями постоянного тока, инверторами. На базе транзисторов создаются импульсные источники питания, инверторы. 

Преимущества транзистора IRFP260N:

• улучшенные прочностные характеристики;
• соответствует отраслевым и международным стандартам;
• полупроводник отлично показал себя в приложениях с частотой до 100 кГц;
• применение стандартного корпуса для монтажа в сквозные отверстия;
• управление большими мощностями;
• повышенная производительность при работе на низких частотах;
• распиновка со стандартными габаритами, упрощающими замену прибора;
• изготовлен по бессвинцовой технологии;
• отличается высокой скоростью срабатывания;
• рабочая температура может достигать +1750С;
• работа при высоких токах.

Транзистор IRFP260N с тремя выводами упакован в корпус ТО-247, со стороны маркировки, цоколевка выглядит следующим образом: затвор, сток, исток.