г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

irfp450

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Полевые транзисторы на современном производстве применяются не реже иногда и чаще), чем биполярные. Физическое строение у них схожее – в основе лежит полупроводниковая пластина малой толщины, к которой подведены 2 вывода. Разница в способе управления током, поскольку полевые модели используют электрическое поле в качестве пропускного «краника». Именно на этом принципе построена модель IRFP450

Alt: так выглядит модель IRFP450 с двух сторон

Затвор (так называется управляющий контакт) подключается к току разной мощности и полярности, за счет чего и осуществляется регулировка потока заряженных частиц. 

Технические характеристики и особенности модели

Есть 3 параметра, по которым осуществляется выбор оптимальной модели транзистора:

  1. Максимальный ток. Эта модель работает с пределом в 14А. Превышать эту планку нельзя, деталь выйдет из строя.
  2. Напряжение участка сток-исток. Чтобы не допустить «пробития» транзистора, этот показатель не должен превышать 500В.
  3. Рассеиваемая мощность. При максимальной нагрузке модель выдает до 190Вт.

При способности работать с достаточно высоким напряжением, IRFP450 чувствителен к повышенным температурам. Поэтому его нельзя использовать при нагреве выше 150оС.