irg4ph50ud
Есть вопросы ? Напишите нам.
При сборке инверторов, импульсных токовых регуляторов и приводов MOSFET транзисторы с изолированным затвором (IGBT) пользуются большим спросом в силу своей надежности и высоких эксплуатационных показателей. Модель G4PH50UD купить можно для применения в сварочных источниках тока, мощных системах приводного управления. Даже на транспорте внутригородского назначения можно встретить эту версию или ее аналоги. При использовании таких транзисторов в конструкциях с высокой мощностью удается заметно повысить показатель КПД, улучшить плавность хода.
Технические характеристики модели:
- полярность транзистора – N;
- напряжение участка сток-исток, с которым работает модель, достигает 1200В;
- управляющее питание при этом не превышает 20В;
- рассеиваемая мощность – до 200Вт;
- на коллекторе постоянный ток не превышает 24А.
При своей высокой мощности модель исправно работает в условиях значительного нагрева – до 175 градусов по Цельсию. Это позволяет без проблем устанавливать ее в корпуса силовых устройств, не опасаясь поломки.