irlb3034

Наряду с высоковольтными моделями, в автомобильной электронике применяются и низковольтные MOSFET транзисторы. Для достижения минимального показателя сопротивления при открытом состоянии элемента в моделях типа IRLB3034 применяется специальная технология HEXFET. В целом современные разработки позволили добиться более высоких эксплуатационных показателей для полевых моделей. При формировании схемы управления моторных агрегатов, выпрямительных систем синхронного типа или бесперебойников можно купить IRLB3034PBF вариацию из этой серии.

Технические характеристики:

• полярность транзистора – N;
• предел напряжения на участке сток-исток – 40В, затвор-исток – 20В;
• максимум по току между стоком и истоком – 195А;
• при открытом канале показатель сопротивления составляет 1,7мОм;
• рассеиваемая мощность модели достигает 375Вт.

При преимуществах и технических улучшениях конструкции, для производства используется стандартный тип корпуса ТО-220АВ. Планарное исполнение упрощает создание печатной платы и монтаж детали. Изолированная пластина сзади корпуса улучшает теплоотвод и позволяет надежнее закрепить радиодеталь.