IRLML2502
Есть вопросы ? Напишите нам.
Транзистор типа IRLML2502, в частности IRLML2502TRPBF и другие разновидности этой транзисторной линейки полевых или MOSFET-транзисторов имеют N-полярность, с классической структурой металл-оксид-полупроводник.
Важное отличие транзистора этой модели заключается в использовании инновационных технологий для преодоления одной из важнейших проблем использования транзисторов полевого типа – достижение минимального показателя сопротивления в открытом состоянии. Для того чтобы добиться этого, используются новые сочетания материалов, позволяющих снизить сопротивление на единицу площади кремниевых участков переходов. Это преимущество в сочетании с характерными свойствами, дает преимущество всем, кто применяет этот транзистор:
- высокая скорость переключения;
- прочная конструкция устройства;
- надежность в эксплуатации.
Особенности конструкции: корпус, линейка Micro3
Упакованный в стандартный корпус SOT-23 транзистор также получил усиленный вариант вывода тепла с улучшенными контактными площадками. Это позволило объединить в транзисторе скорость работы и одновременно возможность использовать его как устройство для регуляции высокой силы тока. Транзистор относится к линейке транзисторов Micro3, которые идеально подходят для монтажа на печатной плате, где требуется экономия места и одновременно работа с высокими показателями входного напряжения. Низкий профиль устройства по высоте – менее 1,1 мм – дает возможность интегрировать его в портативную электронику гаджетов, PCMCIA-карты и другие устройства. Высокая рассеиваемая мощность, то есть возможность качественной терморегуляции делает это устройство одним из лучших среди конкурентов, которые имеют похожие характеристики по току.
Токовые характеристики
Этот полевой транзистор с изолированным затвором построен по классической схеме работы и допускает предельно допустимое напряжение на линии Uds не выше 20 вольт. При этом на линии затвор-исток (Ugs), напряжение не может превышать 12 вольт.
Для начала работы полевого транзистора необходимо пороговое напряжение питания, составляющее от 1,2 В. При этом MOSFET-транзистор работает с максимально допустимым уровнем DC-тока не выше 4.2 A.