irlml6401trpbf

IRLML6401TRPBF – силовой P–канальный MOSFET транзистор, разработан Infineon Technologies. Компания относится к крупнейшим немецким производителям микросхем для телекоммуникационных систем. Р–канальные полевые транзисторы IRLML6401TRPBF Infineon применяются в приложениях мощности от малой до средней, позволяют упростить конструкцию устройств. Для их включения необходима подача отрицательного напряжения затвор – исток. К преимуществам относится упрощенное управление затвором, что положительно влияет на стоимость устройства.

Особенности транзистора IRLML6401TRPBF:

• изготовлен с применением технологии HEXFET;
• устройство обеспечивает лучшее из возможных термальное сопротивление и мощность рассеивания;
• увеличенная прочность и надежность компонента;
• созданы на основе кремния, оптимизированного для устройств, работающих с частотами до 100 кГц;
• применение корпуса со стандартной распиновкой позволяет при выходе из строя, легко отыскать транзистору замену;
• невысокая стоимость;
• конструкция не содержит свинца, галогенов;
• наличие встроенной термически усиленной колодки.

IRLML6401TRPBF в корпусе SOT-23 в наименьшей в отрасли версии Micro3™ имеют профиль до 1,1 мм, что дает возможность его устанавливать в тонкие приложения. Высокие эксплуатационные характеристики позволяют применять транзисторы в устройствах переключения переменных нагрузок и постоянного тока.