купить мощный полевой транзистор

Силовые полевые МОП-транзисторы — это тип Power MOSFET, специально предназначением которого является работа с высокими значениями мощности. Они демонстрируют высокую скорость переключения и могут работать намного эффективнее обычных полевых МОП-транзисторов в случае низких уровней напряжения. Однако принцип работы такого типа компонентов аналогичен алгоритму действия любого другого полевого МОП-транзистора общего назначения.

Особенности силовых MOSFET

Силовые полевые МОП-транзисторы характерны вертикальным строением с выводами эмиттера и коллектора на противоположных сторонах микросхемы. Вертикальная ориентация помогает сэкономить место на печатной плате и обеспечивает увеличенную ширину канала. Кроме того, тысячи этих транзисторных «ячеек» объединены в одну, чтобы быть устойчивыми к высоким токам и напряжениям, необходимым для подобных устройств.

Мощные МОП-транзисторы, которые наиболее широко используются, представляют собой n-канальный режим расширения, p-канальный режим расширения или n-канальный режим истощения по своей природе. Они выполнены из оксида металла и полупроводника и используются для переключения больших токов. Далее рассмотрим несколько примеров силовых MOSFET компонентов.

Транзистор H40RF60

Полевой транзистор H40RF60 (полное наименование IHW40N60RF) является устройством серии IGBT с резонансным переключением и обратной проводимостью. Мощный диод в монолитном корпусе с низким прямым напряжением предназначен только для мягкой коммутации.

Применение технологии TRENCHSTOP обеспечивает очень плотное распределение параметров, высокую надежность и термостабильность, а также низкий уровень электромагнитных помех.

Транзистор H40RF квалифицирован в соответствии с JESD-022 для целевых приложений. Он имеет покрытие без свинца, которое соответствует требованиям RoHS. Данный активный электронный компонент применяется в индуктивных печах, инверторных микроволновых печах, резонансных преобразователях и приложениях программного переключения.

Транзистор 40N60F2DS

Если вам нужен траншейный IGBT с функцией полевого затвора, целесообразно купить полевой транзистор 40N60F2DS (он же TGAN40N60F2DS). Это 600-вольтное устройство с траншейной технологией Fast Field Stop. Ему характерны низкие потери на переключение для широкого диапазона температур, положительный температурный коэффициент и простота параллельной работы.

Транзистор выполнен в корпусе ТО-3, соответствует RoHS и имеет квалификацию JEDEC. Типовыми примерами применения данного устройства являются ИБП, сварочные и инверторные системы, оборудование для солнечной энергии.

Силовые транзисторы линейки IRF

Мощный полевой транзистор IRF – это Power MOSFET для монтажа в сквозные отверстия, изготовленный по усовершенствованной технологии HEXFET MOSFET, которая является ключом к передовым IR Hirel Rectifier.

Инновационная конструкция с эффективной геометрией обеспечивает очень низкую резистивность в открытом состоянии в сочетании с высокой крутизной, высокой проводимостью, превосходной обратной энергией и способностью восстановление диода dv/dt..

Транзисторы IRF также обладают всеми хорошо зарекомендовавшими себя преимуществами МОП-транзисторов, такими как регулирование и контроль напряжения, очень быстрое переключение и коммутация, простота параллельного подключения и температурная стабильность электрических параметров.

Они хорошо подходят для использования в таких схемах как импульсные ИП, устройства управления двигателем, инверторы, прерыватели, звуковые усилители, высокоэнергетические импульсные схемы и практически любые приложения, где требуется высокая надежность.

Полностью изолированный корпус транзистора HEXFET устраняет необходимость в дополнительном изоляционном материале между устройством и радиатором. Это повышает тепловую эффективность и уменьшает емкость стока.

Функции, особенности и преимущества силовых транзисторов IRF:

1. Простые требования к монтажу на плате.
2. Простота распараллеливания.
3. Герметично запечатанный корпус.
4. Электрически изолированный.
5. Стеклянные люверсы.

Транзистор IRFP460

Полевой транзистор IRFP460 – это Power MOSFET 3-го поколения от торговой марки Vishay. Он отличается конструктивом, обеспечивающим оптимальную совокупность высокой скорости коммутации, прочности и надежности, низкой сопротивляемостью и высокой рентабельностью.

Его пакет исполнения корпуса ТО-247 идеально подходит для торгово-производственных приложений, где более высокие значения мощности исключают возможность применения компонентов в корпусе ТО-220. ТО-247 похож, но превосходит более ранний пакет ТО-218 из-за его изолированного монтажного отверстия. Это также обеспечивает большие пути утечки между штырями для соответствия требованиям большинства спецификаций безопасности.

Основные характеристики IRFP460:

• Напряжение коллектор-эмиттер: 500 В;
• Напряжение между базой и эмиттером: ± 20 В;
• Постоянный ток коллектора: 10 В;
• Импульсный ток коллектора: 80 А;
• Максимальная энергия единичного импульса: 960 мДж;
• Повторяющийся пиковый ток: 20 А;
• Граничная рассеиваемая мощность: 280 Вт;
• Максимальное восстановление диода dV/dt: 3,5 В/нс;
• Температурные пределы перехода, эксплуатации и хранения: от -55 до +150 °С;
• Максимальная температура пайки (не более 10 секунд): 300 °С.

Транзистор IRF7319

Купить полевой транзистор IRF7319 спб можно в корпусе SO-8, который был модифицирован с помощью индивидуальной выводной рамы для улучшенных тепловых характеристик и возможности использования нескольких штампов, что делает его идеальным для различных силовых приложений. 

Благодаря этим улучшениям несколько устройств могут использоваться с резко уменьшенным пространством на плате. Выводы данного транзистора предназначены для парофазного, инфракрасного или волнового метода пайки.

К преимуществам и ключевым параметрам данного устройства стоит отнести сверхнизкую резистивность во включенном состоянии, двойной N и P канал MOSFET HEXFET, поверхностное крепление и полностью лавинный рейтинг.