Микросхемы LM

Микросхемы серии lM – разработка компании National Semiconductor. Первые буквы серии – lM взяты из английского выражения, в переводе, обозначающем: Линейный Монолитный. Таким образом в названии отражена причастность схем к аналоговым компонентам, созданным на основе монолитного кремния. National Semiconductor приступила к серийному производству микросхем начиная с 1965 года. Некоторые из компонентов стали уникальными, остаются востребованными и по настоящее время. Многие из микросхем были проданы сторонним производителям, но используются под серийным первоначальным номером, чтобы облегчить идентификацию. 

Микросхемы LM 339

Микросхемы или чипы представляют собой электронные устройства для обработки информации, работают с двумя видами сигналов: единицы и нули. Основу схемы составляют полупроводниковые элементы – транзисторы, с их помощью ведется управление входящим электрическим током. Каждая из микросхем состоит из огромного числа транзисторов, их количество может исчисляться миллиардами. Все компоненты размещены на одном кристалле кремния, поэтому процесс создания происходит в автоматическом режиме без участия человека. Микросхемы составляют основу современных промышленных и бытовых устройств, в том числе хорошо известных смартфонов, ПК, станков ЧПУ, роботов. Полученный с транзистора сигнал в виде единиц и нулей используется для базовых функций сложения, пересечения, отрицания и тождества. 

LM 339 микросхема выпускается в пластиковом корпусе SOP-14, используется в технологии поверхностного монтажа. В составе электронной схемы счетверенный компаратор выполняет задачи сравнения сигналов и создает выходной сигнал, указывающий на преобладание одного из них над другим. Основу составляет дифференциальный усилитель с увеличенным коэффициентом усиления. 

Особенности микросхемы LM 339:

• рабочий температурный диапазон 0 – 70 град С;
• высокое быстродействие, время отклика составляет 300 нс;
• напряжение питания в промежутке от 2 В до 30 В;
• выходной ток 20 мА.

LM 301Р микросхема

LM 301Р микросхема – сдвоенный операционный усилитель общего назначения. Компонент относится к разработке компании National Semiconductor, выпускается в корпусе DIP-8. Операционный усилитель обладает оптимальными дрейфовыми характеристиками, полностью удовлетворяет заявленным требованиям. 

К достоинствам операционного усилителя относится:

1. Высокая скорость нарастания, которая может достигать 10 в/мкс. 
2. Небольшой входной ток смещения равен 20 нА. 
3. Напряжение питания в диапазоне 5 -22 В. 
4. Имеет 8 контактных выводов.
5. Монтаж в сквозное отверстие.
6. В микросхеме предусмотрена защита от короткого замыкания и перегрузки.
7. Отсутствие защелкивания при выходе за пределы синфазного диапазона. 
8. Хорошая линейность выходного сигнала по току и напряжению. 

National Semiconductor создана в 1959 году, производственная деятельность предприятия началась с разработки интегральной схемы. Небольшой участок земли, куда компания перенесла производство в 1966 году, впоследствии превратился в известную всему миру Силиконовую долину. Первоначально поставленная National Semiconductor цель превратиться в мировой гигант по производству полупроводниковой продукции, благодаря мудрой политике руководства сравнительно быстро была достигнута. В 1981 году компания первой в мире увеличила годовой объем продаж в 1981 году полупроводников до фантастической цифры – миллиарда долларов. В настоящее время National Semiconductor на правах дочернего предприятия входит в состав Texas Instruments.