MMBF170

Транзистор MMBF170 выполнен как MOSFET-полупроводник с N-канальным исполнением. Транзистор исполнен в ударопрочном и диэлектрическом корпусе SOT-23 на три выхода. Два – внизу и один– вверху конструкции.

Транзистор обеспечивает малое сопротивление во включенном состоянии и минимальное пороговое напряжение для затвора. Высокое быстродействие сочетается с незначительным объемом емкости электроэнергии, которая образуется на входном канале. В дежурном режиме расходуется мало энергии и фиксируется низкий ток утечки на входной и выходной цепи.

Основные электрические характеристики

VDS-напряжение на линии сток-исток – не более 60 вольт. Ток стока – номинальный – не выше 500 мА. Пиковые значения тока на стоковом участке – не более 800 мА.

Рассеивающая мощность в максимальном режиме активности – не выше 300 мВт

Корпус и монтаж транзистора

SOT23-тип корпуса – это традиционная компоновка для малогабаритных полупроводниковых устройств. Он изготовлен из литого, прочного пластика с минимальным уровнем воспламеняемости. 

Класс защиты от огня – UL. Транзистор работает уверенно при соблюдении требований первого уровня стандарта J-STD-020 по влагоустойчивости изделий.

Клеммы выполнены из прочного металла с покрытием оловом для улучшения соединения во время ручного или автоматизированного монтажа. Конструкция может использовать стандарт для пайки MIL-STD-202/208