г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBTA42

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Транзистор MMBTA42 относится к категории малых сигнальных транзисторов NPN-переходов для удобного и производительного как в промышленности, так и в ручной сборке поверхностного монтажа. Обладая комплексом полезных и привлекательных пользовательских характеристик, транзистор предлагает пользователям улучшенные свойства этого микроэлектронного регулятора тока.

Конструкция и реверсная модель транзистора

MMBTA42 собран по одной из наиболее эффективных технологий производства транзисторов – планарной. В ней применяется эпитаксиальная подложка для улучшения качества и надежности работы транзистора. 

Для реверсного исполнения можно найти опциональное решение – PNP-переход на транзисторе в модели MMBTA92, отличающейся только этой характеристикой от основного прототипа.

Корпусное исполнение, монтаж

Материал корпуса – прочный литой пластик с показателем воспламеняемости UL, то есть минимальной возможностью распространения огня.

Чувствительность к влаге на уровне 1 по стандарту J-STD-020C. Клеммы могут использоваться под пайку в соответствии с требованиями MIL-STD-202/208.

В устройстве не используется свинец отдельно или в составе других сплавов. Также в конструкции не применяют другие вредные и не рекомендованные к применению материалы, которые согласованы требованиями RoHS.

Прочность электроники проверена по стандарту полупроводниковых устройств AEC-Q101.

Alt: Транзистор MMBTA42

Электрические показатели и характеристики

К базовым электрическим показателям следует отнести уровни напряжений и токов на всех участках внутренней цепи транзистора, в том числе на стыках различных элементов. Номинальные напряжения составляют:

  • коллектор-база – 300 В;
  • коллектор-эмиттер – 300 В;
  • эмиттер-база – 6,0 В;
  • ток на коллекторе – до 500 мА.

На предельных уровнях напряжения и пропускаемой силы тока, транзистор дает рассеиваемую мощность до 300 мВт.

Эксплуатация транзистора возможна в широком температурном диапазоне от -55 до +150°С.