Модуль IGBT 1200v

IGBT сочетают в себе преимущество MOSFET в виде высокого входного сопротивления с плюсами биполярного транзистора и привода. Характеристики модуляции проводимости делают его идеальным для управления нагрузкой, где требуется серьезное напряжение пробоя и большой ток. В настоящее время потребителям доступно семейство быстро переключаемых изолированных моделей, которые имеют низкий уровень инжекции носителей и рекомбинации в них.

Особенности дискретных IGBT-транзисторов

Дискретные модули igbt 6mbt 150ub 120 52  выпускаются для сетей с повышенными значениями тока. Они используются В инверторах и схемах преобразования энергии для таких различных приложений, как драйверы двигателей, системы бесперебойного питания UPS, плиты IH, плазменные дисплейные панели PDP, стробоскопические вспышки и так далее. Среди особенностей оборудования:

1. Оперативное переключение.
2. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер даже в области повышенных токов.
3. Решения со встроенным полупроводником с оптимальными характеристиками для конкретных применений.
4. Высокий входной импеданс позволяет использовать преобразователи.
5. Доступны в различных корпусах.

Мгновенное насыщение, которое достигается за счет использования pnp-транзистора, позволяющего модулировать проводимость во время проводимости. До разработки модуля igbt cm1000du 34nf и аналогичных моделей силовые МОП-транзисторы использовались в усилителях мощности, требующих серьезного входного сопротивления и мгновенного переключения. Однако при значительной разности потенциалов сопротивление включения растет по мере увеличения силы пробоя. Поэтому было трудно улучшить потери проводимости силовых МОП-транзисторов.

С другой стороны, структура моделей с затвором состоит из биполярного полупроводника pnp и коллекторного контакта, выполненного на слое p отличается сниженным падением вольтажа в состоянии покоя благодаря модуляции проводимости. Сейчас доступны предлагает еще более быстрые элементы с оптимизированной инжекцией носителей в коллекторный слой.

Конструкция IGBT

Первый элемент IGBT с параметрами 2, 0 кВ позволял создавать более компактные силовые преобразователи. Первый в мире изолированный модуль, рассчитанный на 2 кВ, для преобразователей мощности с номинальным показателем 1500 В постоянного тока, которые сложно разработать с элементами на 1, 7 кВ. Это позволяет разрабатывать более простые и компактные преобразователи мощности с номиналом 1500 В без необходимости сложной топологии, такой как трехуровневый NPC. Характеристики решения:

1. Топология схемы состоит из четырех последовательно соединенных IGBT-транзисторов и двух ограничительных диодов, подключенных к точке нулевого вольтажа в одной ветви.
2.  IGBT-транзисторы 7-го поколения, например, модуль igbt bsm 100gt120dn2 и RFC-диоды помогают снизить потери энергии в силовых варисторах. 
3. Подходит для приложений со значительным вольтажом, позволяя им работать с меньшими потерями энергии, таких как новейшие модули с конструкцией CSTBTTM 3 и диодами RF, Relax Field of Cathode, оптимизированными для высокого напряжения. 
4. Уникальный компонент, использующий кумулятивный эффект несущий оригинальный полупроводник Mitsubishi Electric, оптимизирующий подвижность электронов на катодной стороне.

Полупроводники для эффективного управления выходной электрической мощностью полезны в более широком диапазоне приложений и удовлетворяют растущий спрос на устройства, необходимые для уменьшения углеродного следа глобального общества. Энергетические сети, использующие возобновляемую энергию, необходимы для достижения еще большей эффективности преобразования энергии за счет использования систем со значительной разницей потенциалов. Для этой цели были разработаны силовые преобразователи с классификацией 1500 В, что является верхним пределом Директивы по слаботочным системам. Ответом современных производителей на этот спрос является предстоящий запуск модуля 2, 0 кВ серии T, который подходит для преобразования тока до 1500 В, помогая упростить их конструкцию, уменьшить их размер и одновременно повысить эффективность.

Примеры использования модулей

На рынке постоянно появляются модели с различными характеристиками, оптимизированными для применения в приложениях с высокой коммутацией. Совершенствование igbt модуля sgm100hf12a1tfd и других моделей будет происходить благодаря оптимизации пластин, уменьшению геометрии деталей и улучшению методов контроля времени.

Управление вспышкой стробоскопа в настоящее время широко распространено в цифровых фотокамерах. Размеры корпусов становятся все меньше, а для представления управления затвором все чаще используются логические уровни в виде компактных решений с низким вольтажом.

Поскольку каждый компонент — это управляемое устройство, для его контроля требуется всего несколько деталей. Основные преимущества использования этих решений:

• Потребуется меньше компонентов;
• Элементы способны коммутировать токи разного номинала.

Компонент, например, модуль cm600dy 34h igbt может работать при напряжении питания от 2,5 В до 4,0 В. Обычный внутренний источник питания 3,3 В или 5 В может быть использован в качестве источника питания привода для упрощения схемы питания. Диод Зенера включен между затвором и эмиттером для обеспечения защиты от электростатических разрядов.

Параллельные МОП-транзисторы были использованы для схемы привода плазменных дисплеев панелей PDP. Однако в последнее время компоненты этого типа широко используются в высоковольтных системах благодаря их превосходной проводящей способности.