МОСФЕТ

Мосфет-транзисторы более известны как полевые транзисторы с изолированным затвором. MOSFET модуль используется как базовая компонента для большинства изделий индустрии цифровых микросхем, интегральных систем микропроцессорных устройств. Именно поэтому он выполняет самую важную из возможных функций – управление электроцепями. При этом сами МОП-транзисторы, как их еще часто называют, управляются поступающим напряжением, то есть создаваемым электромагнитным полем, а не силой поданного на вход тока. В этом принципиальное отличие подобных устройств от обычных транзисторов.

Ключ, который используется для управления сетью с помощью такого транзистора – идеальное интегральное решение с минимальными затратами по времени и ресурсам для качественного управления электронной схемой. Именно поэтому МОСФЕТ модуль настолько активно используется как в профессиональной промышленной, так и бытовой электронике, используемой для управляющих и силовых устройств различного назначения. А количество разновидностей таких транзисторов огромно, как и количество произведенных таких устройств по количеству для использования в электронике.

Конструкция МОСФЕТов и их работа

Конструктивно МОСФЕТы – полупроводники состоят из кремниевой подложки, сегмента с одним из типов р-n-проводимости и электродного управляющего ключа, который обернут непроводящим ток материалом. В транзисторах этой вариации используются три ввода:

• gate/затвор;
• source/выход;
• drain/сток.

Принцип работы такого полупроводникового прибора достаточно прост. Положительный заряд должен быть подан на межвводное расстояние gate-drain. На этом диапазоне расстояний образуется постоянное электромагнитное поле. Такое поле собирает вокруг на внешнем тонком слое отрицательно заряженные частицы-электроны, расположенные в кремниевом сегменте подложки. Внешний тонкий слой создает канал проводимости. После появления потенциала между стоком, а также истоком появляется движение электронов – ток. То есть как только появится уменьшение или увеличение напряжения, изменяется диапазон пропускаемости полевого транзистора. Как только напряжение на тонком слое прекратиться, транзистор прекратит также управляющую работу и перейдет в состояние дежурного ожидания питающего тока.

Основные преимущества МОСФЕТ – транзисторов

Первый и самый важный плюс применения такого типа транзисторов уже назван – возможность управления с помощью напряжения. Есть и множество других полезных для простого и эффективного управления, свойств:

• минимальное энергетическое усилие, которое состоит только в перезарядке емкости затвора;
• одно из лучших среди полупроводниковых приборов быстродействие;
• в открытом режиме – переход в состояние классического сопротивления, то есть возможность минимизации управляющих устройств с выполнением тех же функций, что у физических разъединителей и включателей.