МОСФЕТ транзистор купить

В мире электроники транзисторы играют важную роль. Это полупроводниковые компоненты, способные посредством слабого тока управлять значительными токами низкой и высокой частоты. Транзисторы выполняют функции усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Различают два огромных класса устройств: биполярные и полевые транзисторы. Последние зачастую называют МОП, таким образом указывают на структурные особенности прибора: металл-окисел-полупроводник, или МДП — металл-диэлектрик-полупроводник. 

Полевые транзисторы МОСФЕТ

Популярное наименование MOSFET полевые транзисторы получили от названия технологии изготовления, за счет первых букв двух английских словосочетаний: Metal-Oxide-Semiconductor и Field-Effect-Transistors. Вторая фраза означает — транзистор, управляемый электрическим полем. Принцип действия полевого транзистора построен на способности влиять на проходящий через него ток посредством напряжения. При подаче напряжения на затвор МОП-транзистора между металлическим выводом и основой создается поперечное электрическое поле, которое притягивает отрицательно заряженные частицы. Таким образом, у поверхности диэлектрика образуется N-канал, называемый областью проводимости, по которому между истоком и стоком начинает протекать ток, регулируемый внешним напряжением. При прекращении подачи напряжения, область проводимости исчезает и транзистор закрывается.

Упрощенная модель N-канального MOSFETа состоит из следующих элементов:

• кремниевая основа N или P типа;
• области подключения электродов стока и истока, обогащенные свободными электронами;
• диэлектрик из оксида кремния для изоляции затвора от кремниевой основы.

МОП-транзисторы по типу канала разделяются на N- и P-типа. 

Характеристики и область применения полевых транзисторов с изолированным затвором

Мощные МОСФЕТ транзисторы предназначены для реализации в высоковольтных и многоточных приложениях. Как правило, компоненты выпускают в корпусе SuperSO8, характеризуются не только значительной выходной мощностью, но и низким уровнем сопротивления, что в результате гарантирует минимальные токовые потери. ПТ МОСФЕТ отличаются безупречной надежностью и долговечностью, обеспечивают наилучшее соотношение цена/качество.

Основные характеристики мощных MOSFET:

1. Большая мощность и высокий КПД обеспечиваются за счет низкого сопротивления открытого канала.
2. Рабочая температура ПТ варьирует в диапазоне от -40°С до +175°С, что гарантирует возможность применение компонента в жестких производственных условиях.
3. Низкое тепловое сопротивление обеспечивает качественный отвод тепла с внешнего радиатора.
4. Поддерживается режим обратного восстановления.
5. Компактный корпус, работающий с логическим уровнем 120 В.

Мощные транзисторы идеально подходят для трехфазных инверторов и DC/DC-преобразователей, синхронных выпрямителей, усилителей класса D, а также для серверных решений, телекоммуникаций и низковольтных приводов.

Шаговые моторы, двигатели постоянного тока, нагревательные приборы, мощные лампы и соленоиды при подключении к управляющей плате Ардуино нуждаются в увеличении выходных параметров: тока и напряжения. МОСФЕТ транзистор Ардуино успешно решает эту задачу. Ардуино не может обеспечить работу, например, мотора или сервопривода, так как выходные параметры платы не превышают указанные показатели: напряжение не выше 5 вольт и ток не более 40 мА. Полевой транзистор, выполненный по прогрессивной технологии МОСФЕТ, способен от незначительного входного напряжения управлять высоким выходным током, усиливая, коммутируя и преобразовывая электрический сигнал. Алгоритм подключения выглядит так. Ток пропускают от стока к истоку в зависимости от разницы потенциалов электрического поля на затворе. Так как транзисторы бывают разных номиналов и характеристик при одинаковой маркировке необходимо внимательно подойти к подбору прибора, воспользовавшись справочником datasheet. Двигатель подключают по аналогичной схеме, но с использованием резисторов, которые обезопасят плату Ардуино и улучшат стабильность работы схемы. Процесс подключения не представляет никакой сложности, важно не перепутать выводы транзистора и не забыть объединить землю на всех уровнях напряжения.

МОСФЕТ транзистор MDF11N65 — это МОП-транзистор N-канального типа в корпусе TO220F, выполненный с использованием прогрессивной технологии MOSFET, обеспечивающей низкие показатели сопротивления в состоянии покоя, высокие характеристики коммутации и превосходное качество. Компонент обладает значительной рассеиваемой мощностью в 49,6 Вт, предельно допустимыми значениями напряжения: сток-исток до 650 В, затвор-исток30 В. Предельны постоянный ток стока равняется 12 А. Рекомендуется купить МОСФЕТ транзистор MDF11N65 для применения в SMPS, высокоскоростных сетях и в приложениях общего назначения. 

Транзистор МОСФЕТ P03P06LCG SOT89 используется в качестве ключевого компонента в составе электронных печатных схем. Прибор предназначен для поверхностного монтажа. Р-канальный радиоэлемент является полевым транзистором с изолированным затвором, выполненным по технологии МОСФЕТ. Устройство обладает рассеиваемой мощностью в 0,78 Вт, Наибольшее напряжение цепи сток-исток составляет 30 В, а затвор-исток 20 В, пороговое напряжение включения равняется 3В. Максимальный постоянный ток стока 3,5 А. ПТ поставляется в специальном корпусе SOT89.

TP SK508S PB818 МОСФЕТ транзистор QB101 применяется в качестве РЧ усилителя в составе материнской платы телевизоров Hyundai HY32106 и DEXP.