N25Q128A11ESE40F

Флэш-память Micron N25Q128A11ESE40F работает с максимальной тактовой частотой 108 МГц. Для питания памяти достаточно до 2 вольт напряжения. Обеспечить высокий уровень ввода и вывода данных можно с помощью дуального и квадро-ввода с улучшенной пропускной способностью, которая достигает показателя 432 МГц. Протоколы ввода, которые поддерживаются памятью:

• улучшенный SPI;
• двойной ввод-вывод;
• четырехканальный ввод/вывод.

Для записи сектора потребуется 5-8 ms времени. 

Особенности памяти и ее применения

Память может работать с технологией мгновенного преобразования данных XIP для всех протоколов ввода информации. Настройки параметров производятся с помощью регистров, которые могут быть автономными и энергозависимыми. Такая конструкция позволяет поддерживать хранение данных после отключения питания или его ограничения.

Устройства серии N25Q предлагают дополнительные функции, которые настраиваются с помощью энергонезависимой памяти. В частности, есть возможность выполнить собственную конфигурацию для настроек по умолчанию и/или энергонезависимых настроек. Пользователь может выбрать:

• количество циклов в режиме быстрых команд READ;
• настроить уровень импеданса выходного буфера;
• указать один из трех протоколов – SPI, DIO-SPI, QIO-SPI;
• настроить режим использования XIP
• настроить опцию включения и отключения блокировки с опцией HOLD в режиме RESET.

Использование режима ERASE SUSPEND

Для приостановки стирания информации с памяти используется команда Erase Suspend, доступная в этой версии памяти. Таким образом можно добиться улучшенного быстродействия, поскольку если включён общий режим стирания и записи информации, сокращается эффективность и мощность обработки данных.

Устройство может демонстрировать гибкое поведение с режимами и переключаться на наиболее продуктивный вид взаимодействия с помощью настраиваемого буфера памяти. 

Основные функции

Память может использоваться в различных режимах, например, в режиме защищенной работы от стирания. Такая программная настройка может применяться ко всем секторам, включая каждый сектор по 64 КБ емкости.

Может использоваться аппаратная защита от записи. На каждый сектор дается минимум 100 000 циклов стирания. 

Гарантируется срок хранения данных с помощью энергонезависимой памяти более 20 лет