нелинейный транзистор

Нелинейные транзисторы представляют собой электронные элементы, работа которых зависит от протекающего тока, напряжения, магнитного потока и иных параметров. Можно сказать, что все подобные элементы считаются нелинейными. Но, если выраженность нелинейности высока, то их относят к указанной категории. 

Особенности и модели нелинейных транзисторов 

Транзисторы нелинейного типа получили широкое распространение в разных отраслях деятельности человека. Они способны решить те задачи, которые нельзя «поручить» линейным компонентам. Так, они применяются для:

• стабилизации;
• выпрямления;
• преобразования сигнала;
• усиления. 

Во всех этих ситуациях транзисторы нелинейного типа получили положительные рекомендации и отзывы. Благодаря этому они применяются в промышленной и любительской электронике. Разнообразие моделей, предлагаемых производителями, позволяет подобрать подходящий вариант для задач разной сложности. 

Транзисторы TIP147 

Транзисторы данной модели относятся к категории биполярных, со структурой типа p-n-p. Они выполнены на основе кремния. TIP147 подходят для использования совместно с усилителями, преобразователями, микросхемами. Транзисторы помещены в корпус из прочного пластика, на котором установлены жесткие выводы. 

Какие преимущества имеют транзисторы этой модели:

• небольшие показатели мощности управления;
• высокие показатели сопротивления на входе;
• остаточное напряжение в открытом виде имеет небольшие показатели;
• быстрота переключения;
• малые потери;
• силовой канал отличается высокими показателями номинального напряжения. 

Кроме того, транзисторы отличаются тем, что при роста показателей тока увеличивается и сопротивление самого канала. Благодаря этому данный элемент считается более надежным и эффективным при оснащении различного оборудования и электроники. 

Транзистор BS170 

Транзисторы типа BS170 представляют собой устройства типа MOSFET, сделанные на основе структуры p-n-p. Они имеют изолированный затвор. Их работа происходит под управлением электрического поля и его изменений. Оно создается при помощи напряжения. Основой работы MOSFET-транзисторов является именно напряжение. Благодаря этому они получили широкое применение в разных сферах и для разной техники. 

Преимущества использования: 

• малое количество энергии для переключения прибора;
• переключение в сотые доли секунды;
• при включении создает сопротивление. 

В открытом состоянии проходной транзистор создает определенный уровень сопротивления. Изменение напряжения внутри элемента происходит в зависимости от тока. Особенности конструкции в том, что в ней есть так называемый паразитный диод. 

Где используются MOSFET-транзисторы:

• генераторы;
• импульсные преобразователи;
• стабилизаторы;
• реле;
• логические схемы. 

Такие транзисторы нельзя подвергать воздействию температуры выше 150 градусов, также они портятся от влияния статического электричества. Поэтому при пайке нельзя перегревать элемент – действовать нужно быстро и точно. 

Транзистор D13007K

Транзисторы D13007K относятся к категории биполярных с n-p-n структурой. В таком элементе полупроводник типа р находится между двумя другими, одинаковыми — n-типа. Девайс способен усиливать входящий сигнал, поступающий на базу. Далее измененный сигнал исходит из коллектора. В процессе такого преобразования движение электронов происходит к коллектору от эмиттера. 

В транзисторе n-p-n два диода имеют соединение. В нем установлено три клеммы – это и есть коллектор, эмиттер и база. Коллектор имеет легирование. Эмиттер имеет отрицательное значение полюса, коллектор и база – положительное. 

Преимущества модели D13007K:

• меньшие показатели тока утечки;
• высокие показатели усиления;
• жесткие диапазоны срока хранения;
• простота эксплуатации.

Элемент помещен в прочный корпус из пластика, устойчивого к неблагоприятным внешним факторам и разнице температур. 

Транзистор IRF730 

Транзисторы модели IRF730 относятся к типу MOSFET, имеет p-n-p структуру. Он подойдет для установки в оборудовании для вторичного электропитания, для стабилизаторов, преобразователей, радиоэлектронной технике. 

Расширением и сужением канала в этом транзисторе можно управлять при помощи изменения полярности по отношению к затвору. Управление происходит под влиянием электрического поля. Подключать транзистор можно как с общим затвором или общим стоком, так и с общим истоком. 

Обратите внимание, что для транзистора модели IRF730 ток не доложен превышать показатель 7А. В противном случае элемент может выйти из строя. При установке в рамках высокочастотных схем, нужно еще учесть время переключения элемента и его входную емкость. Во время пайки понадобятся средства для заземления, а также точная регулировка температуры. Наилучшим решением будет использование специальной паяльной станции, но такое оборудование не всегда доступно в рамках любительской радиоэлектроники.