p55nf06

Транзистор P55NF06 представляет собой N-канальный MOSFET силового типа, который обладает высокой нагрузочной способностью и низким сопротивлением открытого канала. Он предназначен для использования в различных электронных схемах, где требуется коммутация и усиление сигналов.

Характеристики:

— Максимальное напряжение стока-истока (VDS): 60 В

— Максимальный ток стока (ID): 55 А

— Максимальное напряжение затвора-истока (VGS): ±20 В

— Сопротивление открытого канала (RDS (on)): 0,022 Ом (при VGS = 10 В)

— Мощность (Pd): 75 Вт

— Рабочий температурный диапазон: -55°C до +175°C

Транзистор имеет следующую распиновку:

1. Дренаж (Drain) — контакт, через который проходит ток стока транзистора.
2. Дренаж (Drain) — второй контакт дренажа, обычно используется для обеспечения низкого сопротивления и улучшения теплораспределения.
3. Затвор (Gate) — контакт, через который управляется транзистор путем изменения напряжения на затворе.
4. Исток (Source) — контакт, через который вводится или выводится ток истока транзистора.
5. Исток (Source) — второй контакт истока, обычно используется для обеспечения низкого сопротивления и улучшения теплораспределения.
6. Затвор (Gate) — второй контакт затвора, обычно используется для обеспечения низкого сопротивления и улучшения теплораспределения.

Правильная распиновка транзистора P55NF06 очень важна для его правильной работы. При подключении транзистора к схеме необходимо обратить внимание на правильное соответствие контактов для достижения требуемых характеристик и функциональности. Распиновка может различаться в зависимости от типа корпуса.