PD55003

MOSFET-транзистор PD55003 обладает отличной температурной стабильностью, качественно реализованной защитой от электростатического разряда. Он выполняет большую полезную работу, достигая на пиковой мощности КПД свыше 50%. Он идеально подходит для обустройства RF-схем и конструкций.

Базовые характеристики

Устройство обладает рядом высоких пользовательских характеристик:

• высоким коэффициентом усиления;
• высокой линейностью;
• надежностью.

Мощность на выходе – до 3 Вт. При этом усиление составляет 17 дБ. Транзистор работает в номинальном режиме при 12 В напряжения на частотах до 1 ГГц.

Производитель изделия, компания STMicroelectronics сконструировала этот полевой транзистор с возможностью принимать на линии стока-истока напряжение до 40 В или равное этому показателю. Общая рассеиваемая мощность составляет 31,7 Вт, а ток на истоке не выше 2,5 А. Напряжение на линии затвор-исток составляет диапазон ±20В

Конструкция RF-транзистора

N-канальный транзистор конструктивно исполнен с общим истоком. Базовое направление применения – широкополосное коммерческое и промышленное оборудование в радиочастотном спектре. 

Технология PowerFLAT

Схема изделия основана на применении MOS-конструкции, встроенной в инновационный безвыводной пластиковый корпус SMD по патентованной технологии PowerFLAT.

Применение и особенности корпуса PowerSO10RF

Компактность и высокое качество в сочетании с оптимальной стоимостью делает этот вид полевого RF-транзистора ценным изделием для комплектации:

• портативного радио в автомобиле или бытовом исполнении;
• мобильных радио-гаджетов;
• устройств для приема и обработки сигналов уровня радиоспектра.

Основное отличие и преимущество этого варианта радиочастотного транзистора в его компактности и простоте монтажа, выполненного в специализированном корпусном исполнении PowerSO10RF для удобства установки на небольшие портативные устройства с легким монтажом и высокой прочностью изделия, хорошими диэлектрическими свойствами внешнего контура.