полевой n транзистор

Полевого типа транзистор, в английском языке FET, как аббревиатура Field-effect transistor, это полупроводниковое устройство однополюсного типа, имеющее всего три вывода или контакта, в котором течение электротока или сила тока осуществляется между двумя электродами. Их называют сток и вывод соответственно. Так вот, сила (напор) тока, протекающего в этом компоненте, регулируется посредством напряжения, которое подаётся на третий электрод, получивший название – затвор.

Среди радиолюбителей наибольшую популярность имеют МОП транзисторы. Их название происходит от аббревиатуры: металл-оксид-проводник. В английской транскрипции это MOSFET. Такие элементы, несмотря на собственные небольшие размеры, свободно управляют схемами устройств с большой мощностью. А работой самого транзистора руководит электрическое поле, откуда и пошло название элемента.

Полевые компоненты разделяются на два различных типа: N канальный и соответственно P канальный. Отличаются они способом функционирования: в n канальном полевом транзисторе срабатывание или открывание происходит при подведении напряжения на вывод затвор. При отсутствии напряжения компонент закрывается. В n-канальном же всё происходит наоборот. На электросхемах чертёж или схематичный рисунок полевого n транзистора и биполярного типа отличается только направлением стрелки. 

Сегодня N компоненты являются наиболее популярными и распространёнными.

Порядок подключения и функционирования N типа полевого транзисторного элемента

При подключении напряжения на один из выводов полевого типа транзистора, речь идёт о затворе, в подложке компонента начнутся определённые изменения. Если говорить конкретно, то канал при этом считается подвергнут индуцированию, то есть начнутся возбуждения в присутствии самого индуктора (субъекта), правда без непосредственного между ними контакта. В данном конкретном случае индуцирование канала осуществляется посредством электротока.

Учитывая способность одинаковых зарядов отталкиваться друг от друга, а разноименных, наоборот – притягиваться, подаём положительного значения, относительно вывода исток, напряжение на затвор и под ним тут же появляется электрическое поле. А так как диэлектрик в полевом транзисторе n типа сам по себе довольно тонкий, возникшее электрическое поле будет оказывать влияние и на подложку. А последняя, так как она P-типа пока, имеет в своей структуре больше дырок, чем самих электронов. Следовательно, эти дырки, имеющие положительный заряд, станут отталкиваться от контакта с таким же потенциалом, которым является затвор. Последний также имеет положительный заряд.

То есть, возникает картина, когда дырки всеми силами отталкиваются от вывода затвор, а все электроны при этом, стремятся воссоединиться с выводом затвор, а если точнее, то с его металлическими компонентами и свести напряжение на затворе элемента к нулю. Однако, в этом положении процессу воссоединения мешает диэлектрик. Как результат, столпотворение электродов возле затвора. И тут происходит самое интересное – выводы, как исток, так и сток соединяются с помощью тонкого канала, образованного из электронов. При таком положении говорят, что произошло индуцирование канала. А в связи с тем, что он соединил N-проводниковые выводы: сток и исток, в данном случае, то и он в результате становится N-каналом триода полевого типа.

N-транзистор IRLB 3034PBF. Определение типа, а также некоторые технические показатели

Одним из полевого типа транзисторов считается компонент IRLB 3034PBF. Это N-канальный, биполярный, N-P-N структуры, с одиночным соединением транзистор, изготавливаемый и предлагаемый в корпусе типа TO-220.

Основными техническими и электрическими показателями n полевого транзистора irlb 3034pbf считаются:

• напряжение на контактах сток-исток – 40В;
• мощность рассеивания – 375 Вт;
• напряжение на выводах затвор-исток – около 20В;
•  тип компонента – N-MOSFET;
• ток на стоке – 343А; 
• сопротивление открытого элемента – 1,7 мОм;
• заряд затвора – 108 нС;
• тип канала – обогащённый;
• температура функционирования – 55оС:
• крутизна характеристики прямой передачи мин. – 286.

Выпускается такой компонент в основном в Китае.