полевой транзистор цена

Скорость совершенствования технологий в сфере производства полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. Полвека назад, когда первые советские мощные ПТ только начали производиться серийно, полупроводники этого типа имели множество недостатков в виде высокого входного сопротивления и малой мощности. Но уже через десять лет они преобразились в высокопроизводительные устройства с ничтожно малым сопротивлением и рабочим напряжением до 1200 V. 

В наши дни разработчики электронной аппаратуры имеют доступ к тысячам видам импортных полевых транзисторов. Выпускаются они и несколькими отечественными предприятиями. Умеренная цена позволяет широко использовать их в составе самых разнообразных устройств. Подбирая подходящую модель для включения в проект, нужно учитывать, что некоторые устаревшие модели в ряде случаев (к примеру, в скоростных импульсных преобразователях) могут оказаться даже лучше новинок.

Большую помощь в выборе полупроводников для разрабатываемой схемы может оказать великолепный справочник Петухова, описывающий все типы зарубежных транзисторов и их отечественные аналоги:

1. С затвором на PN переходе. 
2. С изолированным затвором.
3. Биполярные.
4. Комбинированные.
5. Полевые с затвором на основе барьера Шотки.
6. ВЧ полевые транзисторы.

Модели расположены в справочнике в порядке повышения максимального напряжения и тока. Кроме технических параметров, напротив каждого изделия приводится название компании-изготовителя. Есть также раздел, позволяющий подобрать полноценную замену для приборов, давно снятых с производства. Если у некоторых наименований отсутствует информация о распиновке, рекомендуется обратиться к технической спецификации конкретного изделия, которая легко ищется с помощью интернета. 

Полупроводник на новейшем материале

Исследователи университета Техаса опубликовали в популярном издании Nature статью о новых полевых транзисторах на основе силицена. Работа с графеном, на который возлагались очень большие надежды в плане развития электронных компонентов, ожиданий не оправдал. Его использование связано со столь сложными проблемами, что оказалось проще изобрести что-то  новое. И учёным техасского университета это удалось: был получен аналог графена, намного более соответствующий технологическим требованиям при производстве полупроводников. 

Силицен – соединение кремния, которое отлично подходит для производства полевых транзисторов. Кроме того, новейший материал корректно вписывается в структуру существующего мирового производства полупроводниковых приборов, основанного на использовании кремниевых компонентов. Новое двумерное соединение обладает следующими достоинствами:

• почти не окисляется;
• обладает большей гибкостью по сравнению с графеном;
• техпроцесс может быть налажен при комнатной температуре.

Графеновые полупроводники

Несмотря на проблемы с графеном, работа над графеновыми полевыми транзисторами продолжается и даёт неплохие результаты. Южнокорейские учёные изобрели легированный графен, который может найти применение в массовом производстве полевых транзисторов мосфет. 

С тех пор, когда в середине «нулевых» годов был открыт графен, использовалось множество вариантов получения на его основе полевого транзистора – сшивание лент, применение основы из нитрида бора. В числе многих технологий способ легирования графена бор/азотными соединениями оказался наиболее перспективным.